高分子辅助沉积法在镍基片上生长钛酸钡薄膜的研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 分类号 密级 UDC 注 学 位 论 文 高分子辅助沉积法在镍基片上生长钛酸钡薄膜的研究 （题名和副题名） 梁伟正 （作者姓名） 指导教师姓名 林媛 教授（博导） 电子科技大学 成 都 （职务、职称、学位、单位名称及地址） 申请学位级别 硕 士 专业名称 材料科学与工程 论文提交日期 2012.3.22 论文答辩日期 2012.5.15 学位授予单位和日期 电子科技大学 答辩委员会主席 评阅人 2012 年 5 月 22 日 注 1：注明《国际十进分类法 UDC》的类号 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 摘 要 BaTiO3（BTO）是一种典型的钙钛矿结构铁电氧化物，具有铁电、介电、压 电以及光学非线性等丰富的物理性质，目前已被广泛应用于电子系统中。在贱金 属 Ni 基片上生长 BTO 薄膜，在埋入电容、结构健康检测系统以及微机电系统 （MEMS）等领域中具有潜在应用。在金属 Ni 基片上生长 BTO 薄膜要同时考虑 Ni 基片防氧化与 BTO 薄膜结晶成相的问题，在技术上具有相当大的难度。目前， 该领域还有许多问题有待研究解决。 本文使用高分子辅助沉积法在贱金属 Ni 基片上生长 BTO 薄膜。通过对金属 Ni 高温氧化和 BTO 薄膜的结晶成相等热力学问题进行研究讨论，我们采用了双氧 水氧化法在金属 Ni 上生长氧化镍过渡层，成功地在多晶金属 Ni 基片上生长出了 多晶 BTO 薄膜。通过研究 BTO 薄膜工艺条件、微结构以及性能之间的关系，成 功优化了 BTO 薄膜的沉积工艺，获得了具有优良介电性能的 BTO 薄膜。具体而 言，本文主要对以下问题进行了研究： 1. 研究 BTO 薄膜的退火气氛、退火温度对薄膜的结构与性能的影响，并讨论 薄膜制备工艺、薄膜微结构与薄膜介电性能之间的关系。实验中通过对以上问题 的讨论与总结，寻找到了利用高分子辅助沉积法在金属 Ni 基片上生长 BTO 薄膜 的最优工艺条件。在最优工艺条件下生长的 BTO 薄膜样品，具有良好的晶体结构 和优异的介电性能。该 BTO 薄膜的零场相对介电常数约为 400，损耗角正切值 tanδ0.025。 2. 实验使用双氧水氧化法在金属 Ni 上生长氧化镍过渡层，并研究不同厚度的 氧化镍过渡层对 BTO 薄膜结构与性能的影响。我们认为，金属 Ni 基片表面经过 双氧水处理后，基片表面浸润性的改善以及氧化镍过渡层在退火过程中的分解， 是造成具有不同氧化镍过镀层厚度的 BTO 薄膜样品出现性能差异的原因。 3.在 BTO 薄膜的退火气氛中掺入水蒸气，研究水蒸气对 BTO 薄膜的结构与介 电性能的影响。研究结果表明，低浓度的水蒸气对提高 BTO 薄膜的介电性能（尤 I 摘 要 其是薄膜介电可调率）有很明显的帮助。 4. 研究金属 Ni 基片上生长的 BTO 薄膜的磁电耦合特性。在实验中，观察到 BTO 薄膜在外加磁场作用下具有磁电耦合响应。最优工艺条件下生长的 BTO 薄膜 样品，磁电耦合系数达到 αME = 89.58 m V/cm-Oe。实验还研究了不同氧化镍过渡 层厚度对 BTO 薄膜磁电耦合性能的影响，并讨论产生相应影响的原因。 关键词: 高分子辅助沉积，贱金属 Ni 基片，钛酸钡薄膜，介电性能，磁电耦合 效应 II ABSTRACT ABSTRACT BaTiO3（BTO）is a typical perovskites ferroelectric oxide with good dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties. BTO thin films deposited on polycrystalline base-metallic foils, such as nickel and