高K介质对GaN基异质结的影响-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

Effects of High-K dielectrics on GaN-based heterojunction A Dissertation Submitted to Xidian University in Candidacy for the Degree of Master in Microelectronics and Solid-State Electronics By Dang Lisha Xi’an, P. R. China January 2013 西安电子科技大学 学位论文独创性(或创新性)声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后 结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。(保密的 论文在解密后遵守此规定) 本人签名： 日期 导师签名： 日期 摘要 摘要 高 高 K 介质对 GaN 基异质结的影响 摘要 GaN HEMT 器件主要利用异质结界面处高迁移率、高密度的二维电子气 （2DEG）工作。这些 2DEG 主要是由极化效应产生，相应地表面存在大量的补 偿正电荷。这些表面正电荷在器件制造或器件工作时会受到其表面覆盖物的显著 影响，如表面的栅介质、钝化介质等，会影响 GaN HEMT 器件的性能和稳定性。 采用 Al2O3 等高 K 材料作为 GaN HEMT 器件的栅介质，可以获得极低栅漏电、优 良高频特性等优势，近年来成为研究热点之一。不过大多数研究集中在高 K 介质 的选择、制备以及器件性能研究方面，而对于高 K 介质对 GaN 异质结构材料性 能的影响研究相对较少。因此，本文研究高 K 介质对 GaN 异质结材料的影响及 其内在机制。主要研究结果如下： 1、采用了无帽层厚势垒、有帽层厚势垒和有帽层薄势垒 AlGaN/GaN 和 InAlN/GaN 四种异质结构，分别在其表面采用 ALD 法淀积 5nm 的 Al2O3 和 HfO2， 然后利用 Hall 测试仪分析了高 K 介质对电学特性的影响，发现高 K 介质显著提 高了 GaN 异质结构的 2DEG 密度，而对方块电阻和迁移率的影响很微弱。 研究中，帽层削弱了高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结构电学特性的提高，并 且势垒层越薄，高 K 介质对其电学特性的提高越显著。高 K 介质 Al2O3 和 HfO2 分别对 AlGaN/GaN 和 InAlN/GaN 异质结构的电学特性提高最显著。 2、采用 HRXRD 和 XPS 分析了高 K 介质对 AlGaN/GaN 异质结中应力和表 面电势的影响，发现应力增大，表面电势减小。通过对应力、表面电势和相对于 界面处 GaN 导带底的费米能级位置（ΔEF）所诱生的电荷密度变化的定量分析， 发现表面电势和 ΔEF 的变化是高 K 介质提高 AlGaN/GaN 异质结 2DEG 密度的主 要因素，应力变化影响很小。同时发现高 K 介质对表面电势的降低程度与势垒层 厚度、及帽层有关。 3、通过分析高 K 介质对不同结构的 AlGaN/GaN 异质结的影响，发现 GaN 帽层会抑制了高 K 介质对 AlGaN/GaN 总应力的提高，并且势垒层越厚，抑制作 用越显著。 4、采用 HRXRD 分析了高 K 介质对 InAlN/GaN 异质结构应力的影响。发现 高 K 介质降低了总应变及其诱生电荷密度，而且 HfO2 使其减小最显著，进一步 证明了应力的变化不是高 K 介质提高 GaN 异质结的 2DEG 电荷密度的主要原因， 更加突出了表面电势和 ΔEF 对高 K 介质提高 GaN 异质结 2DEG 密度的重要性。 综上所述，本文首次定量地分析了高 K 介质提高 AlGaN/GaN 异质结 2DEG 密度的各影响因素及其诱生电荷密度的变化量，与测试结果有很好的吻合性，说 明了实验的正确性，给出了高 K 介质影响 AlGaN/GaN 异质结