课件:上交材料科学基础- 晶体缺陷.ppt

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课件:上交材料科学基础- 晶体缺陷.ppt

* 晶界特性 1)晶界处点阵畸变大,存在晶界能,故晶粒长大和晶界平直化是一个自发过程 2)晶界处原子排列不规则→阻碍塑性变形→Hb,sb↑(细晶强化) 3)晶界处存在较多缺陷(位错、空位等)→有利原子扩散 4)晶界能量高→固态相变先发生,d↓形核率↑ 5)晶界能高→晶界腐蚀速度↑ * 亚晶界(Sub-grain boundary) 事实上每个晶粒中还可分成若干个更为细小的亚晶粒(0.001mm),亚晶粒之间存在着小的位相差,相邻亚晶粒之间的界面成为亚晶界。亚晶粒更接近于理想的单晶体。 位相差一般小于2o,属于小角度晶界,具有晶界的一般特征。 * 孪晶界 Twin boundary 孪晶——指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成对称的位相关系,这两个晶体就称为孪晶,这个公共的晶面即成为孪晶面 共格孪晶界:即孪晶面,其上的原子同时位于两侧晶体点阵的节点上,为两者共有。无畸变的完全共格界面,界面能(约为普通晶界能1/10)很低很稳定 非共格孪晶界:孪晶界相对于孪晶面旋转一角度,其上的原子只有部分为两者共有,原子错排校严重,孪晶能量相对较高,约为普通晶界的1/2 孪晶界 * 孪晶的形成 孪晶的形成与堆垛层错密度相关,如fcc的{111}面发生堆垛层错时为ABCACBACBA △ △ △ △ △ △ △ → △ △ △ ▽ ▽ ▽ ▽ ▽ CAC处为堆垛层错 一般层错能高的晶体不易产生孪晶 形变孪晶:连续的(1/6)112类型的滑移 生长孪晶 退火孪晶 孪晶的形成 * 错配度: 位错间距: 相界Phase Boundary 相界——具有不同结构的两相之间的分界面称为相界 共格界面:界面上的原子同时位于两相晶格 的节点上,弹性畸变 弹性应变能: 共格时以应变能为主 化学交互作用能: 非共格时的化学能为主 相界能 半共格相界:两相结构相近而原子间距相差较大时,部分保持匹配 非共格相界:两相在界面处的原子排列相差很大, 相界与大角度晶界相似 * 第六部分 课堂讨论 * 习题与讨论 位错的塞集(Pile up) 每个位错的受力平衡及平衡位置 领先位错所受的阻力:F=ntb 计算远处的应力场时,塞集位错可看成一个超位错(nb) tyz * 位错的镜像力 靠近晶体表面的位错的应力场不同于其在晶体内部的情形(无限大晶体中的位错的应力场):镜像力 螺位错的镜像-镜面位置上放置一负位错-简单构造。 刃位错没有这样的简单构造的镜像。 * 本章主要内容 (总论) 缺陷在材料中具有重要地位:材料性质的决定性因素。 “It is the defects that makes materials so interesting, just like the human being.” 晶体缺陷的分类:按几何特征,在一、二、三维方向上“尺寸很小”而分为二维(界面)、一维(位错)、零维缺陷(点缺陷)。 “尺寸很小”?:一般与原子间距同一数量级 通常情况下,位错是晶体强度与变形的决定性因素。点缺陷和界面通过对位错的影响而间接地起作用。 * 本章主要内容 (点缺陷) 缺陷在材料中有重要意义,在材料科学中占有重要地位。晶体中的缺陷:点缺陷、线缺陷、面缺陷 点缺陷是由于原子的热运动并存在能量起伏而产生的。平衡浓度: * 本章主要内容 (位错几何) 线缺陷:位错,已滑动区域与未滑动区域的边界 位错最初作为一种理论的提出有两方面的原因:理论计算和实验观察 位错分为:螺型、刃型、混合位错 柏氏矢量反应了位错周围点阵畸变的总合,也反映了晶体两部分相对滑动的方向和大小 柏氏矢量的确定:FS/RH 规则,表示:晶体学表示 位错线的正向 * 本章主要内容 (位错几何) 位错的运动、交割、割阶与扭折 位错的生成与增值 实际晶体中的层错 实际晶体中的位错:全位错与不全位错,扩展位错 FCC晶体:汤普森四面体 交滑移,扩展位错,面角位错 * 本章主要内容 (位错力学) 应力张量、应变张量 矢量、张量对坐标系旋转的变换规则 螺型、刃型、混合位错的应力场:连续介质模型、应力场特点 位错的能量:连续介质模型、 线张力概念 公式:作用在位错上的作用力 位错间的相互作用力 * 本章主要内容 (面缺陷) 小角晶界的位错模型 低能大角晶界 共格与半共格相界 界面能的来源 * 本章重点 点缺陷的基本概念平衡浓度公式 位错的几何:位错的基本概念、柏氏矢量、柏氏回路,运动(滑移、攀移、交割)、增殖、合成与分解 位错的几何:实际晶体中的位错(层错、扩张位错、面角位错)(层错不是位错,其边缘才是位错),汤普森四面体

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