晶体驱动电路及设计.pptVIP

功率元件驱动设计 SCR BJT MOS IGBT 驱动设计 朱国荣 2007-11-11 电力半导体器件 厂内常用功率半导体 SCR简介 BJT结构参数及驱动设计 BJT简介 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） ?分类 根据功率，可分为小功率晶体管和电力晶体管 ?应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 ?应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 BJT的开关特性 3.3 电力场效应晶体管 3.3.1 概述 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 3.3.3 电力MOSFET的基本特性 3.3.4 电力MOSFET的主要参数 3.3.1 概述 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称 电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 3.3.1 概述 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动