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高速电路的电源完整性分析-电子与通信工程专业论文
学校代码 10701 学 号 1202121321
分 类 号 TN91 密 级 公开
西安电子科技大学
硕士学位论文
高速电路的电源完整性分析
作者姓名:王聪睿
领 域:电子与通信工程 学位类别:工程硕士 学校导师姓名、职称:史凌峰 教授 企业导师姓名、职称:张国铭 高工 提交日期:2014 年 12 月
Analysis of Power Integrity in the High-Speed Circuits
A thesis submitted to XIDIAN UNIVERSITY
in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master
in Electronics and Communication Engineering
By
Wang Cong-Rui
Supervisor: Shi Ling-Feng Zhang Guo-Ming December 2014
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摘要
摘要
由于电子产品的工作频率不停提升,系统的时钟边缘速率变得越来越快,供 电电压和噪声容限不断降低,导致信号的畸变已经到了影响电路功能实现的程度, 其中一个重要的原因就是同步开关噪声(SSN)会对高速电路的电源分配网络(PDN) 产生干扰。平面间的 SSN 可以引起谐振,而电源/地平面间的谐振现象又会使 SSN 变得严重。在印制电路板(PCB)上由噪声传播引起的电源完整性(PI)已经得到了广 泛的研究,并且提出了多种解决方法:添加去耦电容,使用电磁带隙(EBG)结构等。
本文在上述背景下,重点分析了 EBG 结构对 PDN 中 SSN 的抑制效果。首先 介绍了高速电路的发展历程及国内外发展现状,其次,介绍了 PDN 设计的基本组 成部分,重点讨论去耦电容的工作原理、设计方法、安装等内容;接着对 PDN 的 设计方法、噪声来源、直流压降进行了阐述。然后分析了 SSN 形成的原因及其抑 制方法以及各种的优缺点。最后详细地比较了两种经典的 EBG 结构:蘑菇型 EBG 结构和平面型 EBG 结构,分别阐述了它们的结构特点、等效电路分析模型及 SSN 抑制特性,并描述两种结构的优缺点。根据 EBG 结构的理论,设计了一种新颖的 T 型狭缝 L-EBG 结构。详细描述了该结构的设计特点,并将实测结果和仿真结果 进行对比,证实结构的可行性。使用集总元件电路模型与谐振腔模型分析估算了 T 型狭缝 L-EBG 结构的下截止频率与上截止频率。同时,使用 CST 仿真得到了结构 的直流阻抗,并根据获得的眼图,分析信号传输特性。通过与传统的开槽型 L-EBG 结构进行对比,得到以下结论:相比于传统的开槽型 L-bridge EBG 结构,T 型狭 缝 L-EBG 结构的抑制带宽增加到 7.29GHz,直流阻抗减小 19.33 %,眼图的 MEO 提高 40%。
关键词:电磁带隙结构, 电源分配网络, 同步开关噪声 论文类型:应用基础技术类
I
西安电子科技大学硕士学位论文
西安电子科技大学硕士学位论文
ABSTRACT
ABSTRACT
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ABSTRACT
With the trend of increasingly higher operating clock frequency, faster signal edge rate, and lower power supply voltage and noise margin, circuit funct
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