GaN_GaNHEMT的微波功率器件研究.docVIP

GaN_GaNHEMT的微波功率器件研究 　　60 　　科技资讯 　　科技资讯　 S C I E N C E 　 　 T E C H N O L O G Y 　 I N F O R M A T I O N 　　2010　　NO.12 　　SCIENCE　　TECHNOLOGY　INFORMATION 　　工　程　技　术 　　第 三 代 宽 禁 带 半 导 体 材 料 G a N及 其 相 关 的 化 合 物 ,不 仅 有 较 宽 的 带 隙 , 还 有 载 流 电 子 饱 和 速 率 高 、 热 导 率 大 、 热 稳 定 性 好 等 性 能 。 这 在 高 温 工 作 、 大 功 率 微 波 潜 力 、 相 控 阵 雷 达 等 多 种 设 备 中 有 着 广 泛 应 用 前 景 和 巨 大 的 经 济 效 益 ,世 界 各 国 都 投 入 大 量 的 人 力 物 力 进 行 研 究 ,促 进 了 该 领 域 的 半 导 体 材 料 研 究 的 新 发 展 , 逐 步 研 制 新 的 微 波 器 件 , 给 我 们 日 常 生 活 带 来 新 的 变 化 和 启 到 作 用 。 本 文 章 着 重 阐 述 了 本 材 料 的 研 究 新 进 展 ,分 析 材 料 的 特 殊 性 能 以 及 相 关 器 件 的 研 制 和 发 展 。 　　1 材料及器件研究进展 　　本 材 料 化 学 性 质 较 稳 定 ,能 够 耐 高 温 ,材 料 的 制 造 和 加 工 过 程 困 难 , 严 重 制 约 了 本 材 料 的 研 究 及 相 关 器 件 的 研 制 。 我 国 取 得 新 进 展 ,信 息 产 业 部 第 十 三 所 实 验 室 和 北 京 工 业 大 学 固 态 电 子 学 合 作 研 究 的 G a N 　 H E M T 微 波 器 件 , 让 人 们 眼 前 一 亮 ,看 到 本 材 料 的 应 用 前 景 。 本 微 波 器 件 通 过 了 中 科 院 微 电 子 中 心 的 HP4155A 半 导 体 参 数 测 试 仪 和 HP8510B 网 络 分 析 仪 的 在 片 检 测 ,所 获 取 的 器 件 参 数 S,进 而 得 到 参 数 H 和 增 益 G u , 最 终 计 算 出 f t 及 f m a x 的 器 件 特 性 。 　　目 前 国 际 上 ALGaN/GaN　HEMT器 件 的 研 制 跨 导 达 到 400ms/mm(期 中 栅 长 0. 25u m ) , 并 且 期 间 的 截 止 频 率 可 达 121GHz及 最 高 的 振 荡 频 率 162GHz(其 中 栅 长 0. 12u m )。 具 体 体 现 在 以 下 几 方 面 。 首 先 ,合 金 与 非 合 金 欧 姆 接 触 。 这 是 通 过 电 子 束 及 真 空 在 GaN便 面 上 形 成 低 等 欧 姆 接 触 。 科 学 家 采 用 薄 膜 和 热 退 火 技 术 队 某 浓 度 的 GaN进 行 对 较 ,进 而 形 成 电 阻 测 量 的 台 阶 结 构 ,通 过 蒸 发 式 沉 积 等 步 骤 获 得 比 接 触 电 阻 。 非 合 金 欧 姆 接 触 采 用 GaN短 周 期 超 晶 格 作 为 顶 层 所 获 得 的 地 欧 姆 接 触 。 其 次 ,刻 蚀 技 术 。 这 种 方 法 是 制作GaN的 重 要 方 法 ,目 前 国 际 上 主 要 采 用 干 法 刻 蚀 ,本 法 又 包 括 离 子 刻 蚀 、 化 学 辅 助 离 子 刻 蚀 、 电 子 回 旋 共 振 刻 蚀 机 磁 控 离 子 刻 蚀 等 方 法 。 还 有 ,退 火 技 术 。 在 一 定 的 温 度 下 ,GaN表 面 薄 膜 与 衬 底 和 缓 冲 层 数 量 对 比 要 低 , 退 火 的 温 度 越 高 , 表 面 上 的 位 错 越 少 ,在 一 定 的 程 度 上 这 能 抑 制 位 错 向 表 面 的 延 伸 ,改 善 性 能 。 　　2 器件的研制 　　GaN　HEMT器件的制取方法主要是通 过MOCVD方法,在抛光的蓝宝石衬底生长 ALGaN/GaN的异质外延生长结构。 具体的 生 长 过 程 有 以 下 几 方 面 ,首 先 必 须 进 行 材 料 的 设 计 与 生 长 ,器 件 的 主 要 性 能 一 定 条 件下取决于用来制作器件材料的结构和质 量,提高GaN　HEMT的电学性能,提高直接 种 的 二 维 电 子 气 的 电 子 迁 移 率 和 表 面 密 度。 然后在520℃下形成有30nmde　GaN成核 层 ,接 着 形 成 GaN缓 冲 层 1um,把 温 度 保 持 在520℃ 分 别