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- 约 84页
- 2018-12-22 发布于福建
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c注入 csi和cmg共注n型gan发光性质的分析
优秀毕业论文
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论文作者签名:型型窿 日 期:丝£型
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论文作者签名:亟塑理导师签名:趁l!坠日期:型量:篁:吖论文作者签名:丝型臣导师签名:型I!坠日 期:型量:篁:吖
兰州大学博士论文 摘要
摘要
GaN薄膜是一种具有优良物理和化学特性的宽带隙半导体材料,本论文对 其生长、器件制备和内部点缺陷的形成能和跃迁能级等进行了系统的调研。C是 GaN中常见的一种残留杂质,也经常被作为一种P型掺杂物被有意的掺入GaN
中。它对GaN的光学和电学性质都有着重要的影响。本论文研究了单C离子注
入,以及C+Si和C+Mg双离子共注对非有意掺杂n型GaN发光性质的影响。。 根据黄光发射强度的不同,本实验中使用的未注入的GaN样品被分为有黄
光发射(撑1)o有强黄光发射(撑2)和无黄光发射(群3)三种不同的类型。单C 离子注入的剂量范围在1013,-1017cm-2,C+Si和C+Mg双离子共注的剂量范围在 1013-1016cm-2。样品注入后在流动N2的保护下进行了退火,退火温度为950C, 退火时间为30min。通过被注入样品在退火前后的室温光致发光谱和微区Raman 谱的测量和分析,我们主要研究了单C离子注入对GaN黄光发射和带边峰发射 的影响,以及C+Si和C+Mg双离子共注对GaN黄光发射和红光发射的影响,并
对以上三种发光带(黄光带、红光带和带边峰发射)的成因进行了合理的推断和 解释。
单C离子注入的实验结果表明,对于原本无黄光发射的撑3型GaN,C注入 可以有效地产生CmN的黄光发射。而对于原本有黄光发射的撑l和撑2型GaN,C 注入使得原黄光发射的强度大为降低。Ci或Ci.CN复合体被认为是除VGa和 Vc扭-Os复合体外,另一种与GaN黄光发射有关的深能级中心。在1013~1016cm2 剂量范围内,群1,舵,和群3型GaN的黄光发射强度随注入剂量的增大而减小, 而当C离子注入剂量达到1017cm-2时,由于注入损伤的加重,GaN中Ci或Ci.CN 复合体的浓度会显著增大,撑1,圯,和躬型GaN的黄光发射强度都表现出一个 明显的反弹。
对于GaN的带边峰发射,根据其峰位随C离子注入剂量的增加逐渐向高能 方向偏移的实验结果,我们推断该发射带是由束缚在浅施主(vN)能级上的束 缚激子跃迁和浅施主到浅受主间跃迁(Ⅸ妤)的谱线重叠而成。GaN带边峰峰 位的偏移被认为是由于不同离子注入剂量下;vN浓度的不同造成的。
另外,通过对比撑1和撑2型GaN的黄光峰和带边峰发射强度随C离子注入剂
兰州大学博士论文 摘要
量的变化,我们发现离子注入对黄光发射的减弱要比对带边峰发射的减弱大得 多,并将此归因于在离子注入过程中GaN表面对与黄光发射相关的点缺陷具有 很强的吸附作用,并且这种吸附作用会随着离子注入深度的增加而减弱。
C+Si和C+Mg双离子共注GaN的研究表明,Mg离子注入对11型GaN的 黄光发射有抑制作用。而深受主vI丽或VGa-ON复合体被认为与GaN红光发射有 关。当C掺杂的浓度增大,越来越多的C开始形成CGa时,GaN中的红光发射 明显减弱。因此在高注入剂量下(≥1015cm2),C杂质对aN的红光发射有抑制
作用。
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兰州大学博士论文 摘要
Abstract
Gallium nitride(㈣is all important、)Iride energy gap semiconductor material
with good properties.The films growth,GaN-based devices,and the formation an
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