国成功大学光电科学与工程研究所硕士文氧化锌掺杂氧化钒多层膜之结构与磁性研究.pdfVIP

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2018-12-22 发布于江苏
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国成功大学光电科学与工程研究所硕士文氧化锌掺杂氧化钒多层膜之结构与磁性研究.pdf

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國立成功大學光電科學與工程研究所碩士論文氧化鋅摻雜氧化釩多層膜之結構與磁性研究 Structure and magnetic properties of V2O5 doped ZnO thin film 研究生：詹博旭指導教授：黃榮俊中華民國九十五年十二月二十五日摘要本論文工作是使用離子束濺鍍系統成長[ZnO/V2O5]多層膜。實驗分成兩部份。第一部份為改變 V2O5 摻雜厚度，第二部份是將多層膜作高真空退火處理，研究多層膜電性及結構特性。由 SQUID 量測多層膜特性，顯示樣品呈現鐵磁性，並隨退火溫度產生不同的變化，[ZnO(20Å)/V2O5(1Å)]25 多層膜磁性隨退火溫度上升而變強，[ZnO(20Å)/V 2O5(3Å)]25 多層膜磁性隨退火溫度上升而變弱， [ZnO(20Å)/V2O5(2Å)]25 多層膜變化則介於兩者之間，磁性來源我們以磁性極化子模型來解釋，發現氧空缺和薄膜磁性變化有著重要的關係。 I Abstract In this study ,we deposited [ZnO(20Å)/V2O5(xÅ)](x =1,3) films on Al2O3(0001) substrate by an ion beam sputter. The structural, electrical and magnetic properties of [ZnO/V2O5] films annealed at 200,400 and 600℃ have been investigated. The results of x-ray diffraction reveal no detectable V clusters or formation of secondary phases. The ferromagnetism of [ZnO(20Å)/ V2O5 (1Å)] films increased as the annealing temperature was decreased. However, the ferromagnetism of [ZnO(20Å)/V2O5(3Å)] films decreased as the annealing temperature was increased. The results suggest that ferromagnetism in [ZnO/ V2O5] comes from an intrinsic factor highly correlated to the oxygen vacancy defects. The dopant V2O5 played an important role effect defects in [ZnO/V2O5] films.