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纳米球制备Spindt阴极及其场致发射特性仿真-兰州大学学报
兰州大学学报: 自然科学版, 2017, 53(5) / 10 月
Journal of Lanzhou University ：Natural Sciences，2017 ，53(5) / October
纳米球制备Spindt 阴极及其场致发射特性仿真
1 1, 2 1 1 1 2 2 3 1
张鹛枭, 马玉龙 , 周 虎 , 周 旺, 周利华 , 向 伟 , 赵兴海 , 曾葆青, 崔 莹
1. 兰州大学 核科学与技术学院, 兰州 730000
2. 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
3. 电子科技大学 物理电子学院, 成都 610000
摘 要：结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt 场致发射阵列阴
极的新方法, 并成功制备了集成度较高且均匀分布的微孔阵列, 微孔孔径为300~500 nm, 绝缘层厚
8 2
度为500 nm, 孔间距为750 nm, 微孔集成度达到10 个/cm , 是普通光刻技术的10倍以上. 利用CST
粒子工作室的质点网格求解器对该工艺方法制备的Spindt 阴极的场致发射特性进行了数值仿真, 结
果表明发射尖端曲率半径、栅极孔径以及尖端相对栅极的高度是影响发射电流的决定因素.
关键词：场致发射; Spindt 阴极; 聚苯乙烯纳米球; 质点网格法
中图分类号：O462.4 文献标识码：A 文章编号: 0455-2059(2017)05-0706-05
DOI: 10.13885/j.issn.0455-2059.2017.05.023
Preparation and simulation of the field emission character of Spindt
cathode with the nanosphere method
1 1, 2 1 1 1 2
Zhang Mei-xiao , Ma Yu-long , Zhou Hu , Zhou Wang , Zhou Li-hua , Xiang Wei ,
2 3 1
Zhao Xing-hai , Zeng Bao-qing , Cui Ying
1. School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China
2. Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, Sichuan,
China
3. School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology, Chengdu 610000, China
Abstract: A new method for preparing the Spindt field emission cathode array was proposed by combin-
ing the
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