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CMOS集成电路电气参数测试方法研究.PDF
4 N o. 4
2008 8 M ICROPRO CE SSOR S A ug. , 2008
CMOS
施华莎
( 中国电子科技集团公司第四十七研究所, 沈阳 110032)
: 随着大规模集成电路自动测试设 的出现, 自动测试技术被广泛应用, 实现了高效率
的集成电路产品验证, 这就使得应用自动测试设 有了 一定的流程首先对 CMOS 集成电路电气
参数的典型测试流程进行介绍, 然后对基本测试方法及可能的测试结果逐项加以说明
: 大规模集成电路; 自动测试设 ; 电气参数; 测试流程
: TN 4 : A : 1002- 2279 ( 2008) 04 - 0023- 02
Sha llow to Ta lk A bout CMOS Integrated C ircu it Tests
SH I H ua- sha
(The 47th R esearch Institute of Ch ina E lectron ics T echnology Group Corp oration, Shenyang 110032, Ch ina)
Ab stract: W th the appearance o f VLSI ATE, A uto test techno logy has been w de u sed, So product on
of IC va l dat on s eff c ency, Th s paper has ntroduced the typ cal flow o f test n IC e lectr c param eter,
Then expla n the bas c pr nc p le of test and m ag nable result.
K ey w ords: VLS I; ATE; E lectr c param eter; F low of test
1 3 IC
40 , 3. 1
, , :
, ,
, , ATE ( PMU )
3. 1. 1接触测试
2
: 1
( ); ( V = 5V , = 0. 7V)
CC 0
; ; ;
, R
, ,
VCC + 0. 7V V SS - 0.
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