光伏发电并网技术(2章).pptVIP

2.2.3 绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolar Transistor——IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 2.2.3 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。 ?简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻 IGBT的结构和工作原理 2.2.3 绝缘栅双极晶体管 IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的工作原理 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形 成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的