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第一章 半导体中的电子状态
1. 设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近
能量 Ev(k)分别为:
Ec(k)=
2 2
h k+
3m0
2
h (k ?
m0
k1)
2
和 Ev(k)=
2 2
h k -
6m0
322
h k ;
m0
m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=0.314nm。试求:
①禁带宽度;
②导带底电子有效质量;
③价带顶电子有效质量;
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
[解] ①禁带宽度 Eg
2
2
h k ? k =0;可求出对应导带能量极小值 Emin的 k 值:
根据
dEc(k ) =2h k +2(
dk 3m0m0
3 ,
1
)
kmin= k1
4
由题中 EC式可得:Emin=EC(K)|k=kmin=
h
k
2
;
m
40
1
由题中 EV式可看出,对应价带能量极大值 Emax 的 k 值为:kmax=0;
2
2
2
h2
并且 Emin=EV(k)|k=kmax=
k ;∴Eg=Emin-Emax=hk1=
h21
6m 12m
48m a2
0
?27 2
0
0
=
×
?28 ×
(6.62 ×10 )
?8 2 × ×
?11
=0.64eV
48 × 9.1 10
(3.14 ×10 )
1.6 10
②导带底电子有效质量 mn
2 2 2 2
2
d EC
=
2h
+
2h
=
8h
;∴ mn= h
2
/
d E
C =
3
m0
dk2
3m
0
m
0
3m
0
dk2
8
③价带顶电子有效质量 m’
2 2
2
d EV= ?6h
=
,∴ m h
2
/
d E
V
= ?
1
m
dk
2
m0
n
dk
2
6
0
④准动量的改变量
h △k= h (kmin-kmax)=
3
4
hk1=
3h
8a
2. 晶格常数为 0.25nm 的一维晶格,当外加 102V/m,107V/m 的电场时,试分别
计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
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[解] 设电场强度为 E,∵F=hdk=qE(取绝对值) ∴dt=hdk
dt qE
1hdk=
h
1 代入数据得:
∴t= ∫0tdt= ∫02aqE
×
2
qE a
-34
8.3 ×10?6
t=
× ×
6.62 10
?19
× ×
?10
× E
=
E
(s)
2 1.6 10
2.5 10
当 E=102V/m 时,t=8.3×10-8(s);E=107V/m 时,t=8.3×10-13(s)。
3. 如果 n 型半导体导带峰值在[110]轴上及相应对称方向上,回旋共振实验结果应
如何?
[解] 根据立方对称性,应有下列 12 个方向上的旋转椭球面:
[ ] [ ] [ ]110 , 101 , 011 , 1 10 ,?
10 1 , 0 1 1 ;?
[1 10], 10 1 , 01 1 , 110 ,?
101 , 0 11 ;?
则由解析几何定理得, B 与 k3的夹角余弦 cosθ 为:
cos
θ =
b
b k + b k + b k
1 1 2 2 3 3
2 2 2 ? k2+ k2+ k2
式中,
B b i b j b k12+3.
1+b2+ b3
1 2 3
对不同方向的旋转椭球面取不同的一组 ( , , )k k k12 3.
-986(1)若B沿[111]方向,则cosθ可以取两组数.
110 , 1 10 , 101 , 10 1 ,?
对 [ ] ?0 1 1 , 011[ ] 方向的旋转椭球得:
cos
θ =
2
3
对 ?1 10 , 110 , 101 , 10 1 , 0 11 , 01 1? ? ? 方向的旋转椭球得:
cosθ = 0
∴当
cos
θ =
2
3
时: cos2
θ =
2
3
sin
2 θ =
1
3
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∵ mn= m
t
∴ m*=
mtsin
3m
m
0
2 θ + m
l
?
2 θ
cos
n
l
mt+ 2m
l
m
t
当 cos
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