半导体物理基础 双极结型晶体管分解.ppt

Chap3 双极结型晶体管 发展史 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley) 1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美得洲仪器公司（TI） 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学 高鼎三） 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产 晶体管与场效应晶体管的区别 晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件；而场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件。 由于场效应管的工作电流和电压都可以很小，且在工艺上易于集成，因此在大规模集成电路中占主导地位。 但是结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。 3.1双极结型晶体管的结构 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 由两个相距很近的PN结组成，基区宽度远远小于少子扩散长度，分为：NPN和PNP两种形式 发射区为重搀杂，发射结为P+N或者N+P，基区是两个PN结的公共端。 双极晶体管的主要作用是对电流或者电压的放大。 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 硅平面外延NPN晶体管：图3-2：横界面图和工艺复合图；图3-3：净掺杂浓度分布。 是一个N+PNN+四层结构器件。 发射结面积小于集电结面积。 内基区（本征基区）：发射结和集电结距离最短的那一部分。 外基区（非本征基区）：其余部分基区。 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 双极型晶体管基区中的电流传输过程与杂质分布形式有极密切的关系。 均匀基区晶体管：基区杂质浓度为常数。低注入下基区少子的运动形式为扩散。 缓变基区晶体管：基区掺杂浓度随位置变化。低注入下基区少子的运动形式既有扩散也有漂移。 3.2基本工作原理 双极晶体管有四种工作模式，相应地称为四个工作区。令 ， 分别为基极对发射极和基极对集电极的电压。则四种工作模式是： 3.2.1晶体管的放大作用 共基极连接晶体管的放大作用 3.2.1晶体管的放大作用 共基极连接晶体管的放大作用 3.2.1晶体管的放大作用 载流子的运输： （1）发射结正偏，由于正向注入，电子从发射区注入基区，空穴由基区注入发射区。呈现正向偏置的少子注入 （2）假设：基区很小。即少子在到达基区与集电区边界时还没有被完全复合掉。其中大部分能到达集电结，并被内电场加速进入集电结，称为集电结电流。 3.2.1晶体管的放大作用 从发射区注入基区，进入集电区的电子电流远大于集电结反偏所提供的发祥饱和电流，是集电极电流的主要成分。 晶体管实现放大的必要条件之一：基区宽度很窄。 3.2.2电流分量 3.2.2电流分量 是从发射区注入到基区中的电子流 是到达集电结的电子流。 是基区注入电子通过基区时复合引起的复合电流 是从基区注入到发射区的空穴电流 3.2.2电流分量 是发射结空间电荷区耗尽层内的复合电流。 是集电结反向电流，它包括集电结反向饱和电流和集电结空间电荷区产生电流。 3.2.2电流分量 电流分量 3.2.3电流增益 为描述晶体管的增益特性引进以下物理量 发射极注射效率 3.2.3电流增益 的意义：从发射区注入到基区的电子电流，在总的发射极电流中所占的比例。 的意义：发射区注入到基区的电子电流中能到达集电极的电子电流比例。 共基极直流电流增益还可以写为 3.2.3电流增益 3.2.3电流增益 当集电结处于正向偏压时： 上式中，当VC为负的很大时，将还原为正向偏置的情况。 3.2.3电流增益 3.2.3电流增益 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 （1）各区杂质都是均匀分布的，因此中性区不存在内建电场； （2）结是理想的平面结，载流子作一维运动； （3）横向尺寸远大于基区宽度，并且不考虑边缘效应，所以载流 子运动是一维的； （4）基区宽度远小于少子扩散长度； （5）中性区的电导率足够高，串联电阻可以忽略，偏压加在结空间电荷区上； （6）发射结面积和集电结面积相等； （7）小注入，等等 3.3.1电流传输 理想晶体管的结构示意图： 3.3.1载流子分布与电流分量 一、电流传输 中性基区（0? ? ）少