《现代材料分析方法第十二章扫描电子显微镜》-课件设计（公开）.pptVIP

* * * * 第三节 主要性能指标 分辨本领与景深 放大倍数及有效放大倍数 * * 一、分辨本领与景深 扫描电镜的分辨本领有两重含义： 对于微区成份分析而言，它是指能分析的最小区域； 对于成象而言，它是指能分辨两点之间的最小距离。 两者主要取决于入射电子束的直径，但并不等于直径，因为入射电子束与试样相互作用会使入射电子束在试样内的有效激发范围大大超过入射束的直径，如图。入射电子激发试样内各种信号的发射范围不同，因此各种信号成象的分辨本领不同（如下表）。 * * * * 表 各种信号成象的分辨本领 信号 分辨率(nm) 发射深度(nm) 二次电子 5~10 5~50 背散射电子 50~200 100~1000 吸收电子 100~1000 透射电子 0.5~10 感应电动势 300~1000 阴极荧光 300~1000 X射线 100~1000 500~5000 俄歇电子 5~10 0.5~2 * * 扫描电镜的景深是指在样品深度方向可能观察的程度。在电子显微镜和光学显微镜中，扫描电镜的景深最大，对金属材料的断口分析具有特殊的优势。 * * 二、放大倍数及有效放大倍数 扫描电镜的放大倍数M取决于显象管荧光屏尺寸S2和入射束在试样表面扫描距离S1之比，即： M＝S2／S1 由于荧光屏尺寸S2是固定的，因此其放大倍数的变化是通过改变电子束在试样表面扫描距离S1来实现的。一般放大倍数在20～20万倍之间，且连续可调。 将样品细节放大到人眼刚能看清楚（约0.2mm）的放大倍数称为有效放大倍数M有效： M有效＝人眼分辨本领／仪器分辨本领 * * 第四节 表面形貌衬度原理及其应用 像衬原理 二次电子成象原理 二次电子形貌衬度的应用 * * 一、像衬原理 ? 像的衬度就是像的各部分(即各像元)强度相对于其平均强度的变化。 ? SEM可以通过样品上方的电子检测器检测到具有不同能量的信号电子有背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子等。 ? 扫描电镜像的衬度来源有三个方面：a)由试样本身性质（表面凸凹不平、成分差别、位向差异表面电位分布）；b)信号本身性质（二次电子、背散射电子、吸收电子）；c)对信号的人工处理。 * * 二、二次电子成象原理 二次电子图象反映试样表面状态，二次电子产额强烈地依赖于入射束与试样表面法线之间的夹角?: 二次电子产额 ? 1/cos? 即?角大的地方出来的二次电子多，呈亮象；?角小的地方出来的电子少，呈暗象，如图。 * * * * 二次电子像衬度的特点： （1）分辨率高 （2）景深大，立体感强 （3）主要反应形貌衬度 * * 三、二次电子形貌衬度的应用 断口分析 沿晶断口 韧窝断口 解理断口 纤维增强复合材料断口 表面形貌分析 材料变形与断裂动态过程的原位观察 * * * * * * 水泥浆体断口 * * * * * * 第五节 背散射电子图象衬度原理 背散射电子形貌衬度特点 背散射电子原子序数衬度原理 背散射电子检测器工作原理 * * 一、背散射电子形貌衬度特点 背散射电子能量较高，多数与入射电子能量相近。在扫描电镜中通常共用一个检测器检测二次电子和背散射电子，通过改变检测器加电情况，可实现背散射电子选择检测，由于背散射电子基本上不受收集栅电压影响而直线进入探测器，所以有明显的阴影效应，呈象时显示很强的衬度，但会失去图象的许多细节。如图。 * * * * 二、背散射电子原子序数衬度原理 背散射电子产额随原子序数增大而增多，如图。在进行图象分析时，样品中重元素区域背散射电子数量较多，呈亮区，而轻元素区域则为暗区。 背散射系数与原子序数的关系 * * 三、背散射电子检测器工作原理 背散射电子检测器的工作原理如图。A和B表示一对半导体硅检测器，将二者收集到的信号进行处理： 二者相加，得到成份象； 二者相减，得到形貌象。 * * * * 背散射电子像的衬度特点： （1）分辩率低 （2）背散射电子检测效率低，衬度小 （3）主要反应成分衬度 * * 第六节 吸收电子衬度 扫描电镜中各种电流的关系可以写成 其中II是入射电子电流强度，IS是二次电子的电流强度，IB是背散射电子的电流强度，IA是吸收电流强度，IT是透射电子的强度。扫描电镜的试样一般是块状试样，即试样较厚，这时透射电子的电流强度可忽略不计，IT =0。在一定的实验条件下，入射电子的电流强度II是一定的，所以有 所以吸收电流IA的大小，决定于Is和IB。Is，IB大时，IA就小，反之，IA就大，也就是说，吸收电子像是与二次电子像和背散射电子像的衬度互补的。因此，背散射电子图像上的亮区在吸收电子图像上必定是暗区 * * * * 扫描电镜操作