第8章 光电式传感器..docVIP

第8章 光电式传感器 光 电信号 8．1 光电效应；　　　　　8．2 光电器件；　　8．3 光源及光学元件 8．4 光电式传感器的应用；8．5 光纤传感器； 8．6 红外传感器　　　　　8．7 图像传感器简介 8．1 光电效应 8．1．1 外光电效应 外光电效应：当光线照射在某些物体上，使物体内的电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，也称为光电发射，逸出的电子称为光电子。基于外光电效应的光电器件有：光电管和光电倍增管。 光子能量： E=hn （8-1） 式中，h=普朗克常数，h=6.626′10-34J.s，n—光的频率（s-1）。 Einstein光电方程： hn=mv02/2+A0 (8-2) 式中，m—电子质量；v0—逸出电子的初速度；A0—物体的逸出功（或物体表面束缚能）。 基本规律： ·红限频率n0（又称光谱域值）：刚好从物体表面打出光电子的入射光波频率，随物体表面束缚能的不同而不同，与之对应的光波波长l0（红限波长）为 l0 =hc/ A0 （8-3） 式中，h=普朗克常数；c—光速；A0—物体的逸出功。 ·当入射光频谱成分不变时，产生的光电子（或光电流）与光强成正比。 ·逸出光电子具有初始动能Ek=mv02/2，故外光电器件即使没有加阳极电压，也会产生光电流，为了使光电流为零，必须加截止电压。 8．1．2 内光电效应 当光照射在物体上。使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 8．1．2．1 光电导效应 在光线作用下，材料内电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化的现象称为光电导效应。基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 入射光能导出光电导效应的临界波长l0为 l0=hc/Eg (8-4) 式中，h=普朗克常数；c—光速；Eg—半导体材料禁带宽度。 8．1．2．2 光生伏特效应 在光线作用下，能使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生伏特效应的光电器件有光电池和光敏晶体管。 1．势垒效应（结光电效应） 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，若光子能量大于其禁带宽度Eg，使价带电子跃迁到导带，产生电子—空穴对，由于阻挡层内电场的作用，形成光电动势的现象称为结光电效应。 2．侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，由于载流子（光照产生的电子—空穴对）浓度梯度的存在将会产生侧向光电效应。光照强的部分带正电，光照弱的部分带负电。 8．2 光电器件 8．2．1 光电管 8．2．1．1 光电管的结构和工作原理 结构：真空（或充气）玻璃泡内装两个电极：光电阴极和阳极，阳极加正电位。如图8-1所示。 原理：当光电阴极受到适当波长的光线照射时发射光电子，在中央带正电的阳极吸引下，光电子在光电管内形成电子流，在外电路中便产生光电流I。 图8-1 光电管的结构和工作原理 8．2．1．2 光电管的特性 1．伏—安特性 当入射光的频谱和光通量一定时，阳极电压与与阳极电流之间的关系称为伏—安特性。如图8-2（a）、（b）所示。 图8-2 光电管的特性 （a）真空光电管伏安特性；（b）充气光电管伏安特性；（c）光电管的光电特性 2．光电特性 当光电管的阳极与阴极间所加电压和入射光谱一定时，阳极电流I与入射光在光电阴极上的光通量Φ之间的关系。如图8-2（c）所示。 3．光谱特性 同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同，这就是光电管的光谱特性。 锑铯（Cs3Sb）材料阴极，红限波长λ0=0.7μm，对可见光的灵敏度较高，转换效率可达20%~30%； 银-氧-铯光电阴极，构成红外探测器，其红限波长λ0=1.2μm，在近红外区（0.75~0.80μm）的灵敏度有极大值，灵敏度较低，但对红外较敏感； 锑钾钠铯阴极光谱范围较宽（0.3~0.85μm）灵敏度也较高，与人眼的光谱特性很接近，是一种新型光电阴极； 对紫外光源，常采用锑铯阴极和镁镉阴极。 光谱特性用量子效率表示。对一定波长入射光的光子射到物体表面上，该表面所发射的光电子平均数，称为量子效率，用百分数表示，它直接反映物体对这种波长的光的光电效应的灵敏度。 8．2．2 光电倍增管 8．2．2．1 光电倍增管的结构和工作原理 结构：由光电阴极、若干倍增极和阳极组成，如图8-3所示。 图8-3 光电倍增管 (a)结构图；(b)原理图；(c)供电电路 原理：光电倍增管工作时