电子材料物理第二章晶体中的缺陷与扩散.ppt

主要内容：本章讨论晶体中的缺陷及其扩散 行为，并讨论扩散的应用。 要求掌握晶体中的缺陷类型及其缺陷的扩散 行为，了解扩散的应用——烧结 2.1 晶体中的缺陷 2.2 缺陷的扩散规律 2.4 固相反应与烧结 2.1 晶体的缺陷 晶体缺陷的定义及分类： 对晶体周期性排列结构的偏离称为晶体缺陷，它对电子材料的物理性质会产生很大影响。 晶体缺陷可分为： 微观缺陷1.点缺陷 晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数范围内的缺陷称为点缺陷。点缺陷包括 (1)不被占据的粒子格点-空位; (2)存在于填隙位置上的粒子-填隙 (3)杂质粒子替代某格点-替代式杂质/填隙式杂质。其中由热起伏原因所产生的空位和填隙原子称为热缺陷。 热缺陷包括 ： ①弗仑克尔缺陷：对理想的氧化物离子晶体加热,温度的升高原子脱离格点，使金属子晶格上同时形成金属填隙和金属空位. ②肖特基缺陷：在不同的子晶格上同时形成金属空位和氧空位. 1) 点缺陷的特点 点缺陷的尺寸很小（与原胞相比拟） 点缺陷产生局部点阵崎变，其大小由晶体结构、母体粒子大小、杂质粒子大小和晶体的键型决定 2）点缺陷的符号糸统（Kroger-Vink） 以MO型金属氧化物为例（M---金属元素，O---氧元素）①V：空格 e：电子 h：空穴 ②下标：位置 i:填隙位置 ③上标：电荷（ ×代表中性，·代表正电荷， 代表负电荷） ④［ ］：点缺陷浓度 ,电子浓度用n表示, 空穴浓度用p表示 2）点缺陷的准化学反应和质量作用定律 以某种化学反应式的形式描述晶格中点缺陷的形成过程-----准化学反应. 书写准化学反应式的规则（以MO为例） 1）MO晶体中子晶格M的格点数等于子晶格O的格点数. 2）反应过程中，MO两种晶格的格点数同增/同减. 3）反应式两边质量守恒（空格点质量为0） 4）如果晶体中存在填隙原子,应在反应式中引入填隙空格点 5）电中性规则（正负电荷相等） 质量作用定律： 把含有各种缺陷的晶体看成理想固溶体（正常格点是溶 剂，点缺陷是溶质）利用化学中溶液有关的热力学统计物 理理论即可处理点缺陷间运动-----质量作用定律（忽略缺 陷间作用）。 具体内容：元反应（在反应物粒子碰撞行为中一步完成的反应）的反应速率与反应物浓度的幂的乘积成正比 如 晶格周期性的破坏发生在晶体内一条线的近邻，称此缺陷为线缺陷。线缺陷主要指位错。 位错分为刃位错和螺位错。 刃位错：一层附加原子平面的局部插入到晶体中,附加平面的刃缘ED就是实际的位错 螺位错：晶体的一部分相对于其余部分发生位移） 晶格周期性的破坏发生在晶体内某一晶面的附近的缺陷称为面缺陷。包括堆垛层错，晶界，相界，畴界和孪晶界.（1）堆垛层：将两个不正确的堆垛层面隔开就是层错（2）晶界：单晶体中常常存在一些取向很小差很小的晶粒，晶粒间的晶界为亚晶界，其是由一系列位错构成的（3）相界：具有不同结构的两相界面称为相界 二．宏观缺陷 1)开裂（原生开裂，次生开裂）2)包裹体：（气，液，固）3)生长层（生长条纹：年轮状）4)胞状组织：网状沟槽划分（浓集杂质）划 分出来的亚组织 2.2缺陷的扩散规律 扩散是一种由热运动引起的杂质原子或基质原子的输运过程。它是理解高温下固体中发生变化的基础。 扩散的研究分为两个方面： 扩散的微观规律：原子 如何在固态中迁移，微观运动与扩散糸数之间的关糸，分析形影响扩散的因素 . 扩散的宏观规律：建立定向扩散流的数学方程式，在已知边界条件下计算杂质浓度的分布 2.1扩散的微观规律 菲克第一定律： ----- ① (J为扩散流密度, D为扩散糸数 , 为浓度梯度,负号表示从高浓度向低浓度扩散） 1．间隙式扩散：依靠间隙运动方式而逐步跳跃前进的扩散方式.单位时间内间隙原子越过势垒跳到相邻间隙的几率为: （Pi：单位时间跃迁的几率, Ei：势垒高度, Vo：振动频率） 利用间隙原子的一维扩散模型,可得间隙原子的扩散流密度为: －－③ 式中N(x)和 N(x+a)为x和（x+a）处间隙原子的浓度,a为晶格常数 由①③得扩散系数跟温度的关系