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硅工艺加工技术 报告人：宁 瑾 内容 工艺线概况 2004年建立。2－4英寸硅加工工艺线，加工能力可达1微米。 具备完整的硅加工能力，可以制备微电子器件和电路、光电器件以及MEMS器件。可加工的衬底材料包括Si、SOI (Silicon on Insulator)、SOS (Silicon on sapphire)和SiC。 成功制备出SOI和SOS抗辐射MOS器件和电路，Si基JFET器件，SiC基MESFET器件，SiC谐振器和滤波器等。 Si nMOSFET器件加工工艺 清洗：C处理，有机溶剂超声清洗 光刻 金属淀积 干法刻蚀 高温氧化 LPCVD PECVD 离子注入及快速退火 激光划片 清洗工艺 RCA清洗：H2SO4/H2O2/H2O 1号清洗液：NH4OH/H2O2/H2O 2号清洗液：HCL/H2O2/H2O 有机溶剂超声清洗：无水乙醇 丙酮 清洗甩干机：2寸和4寸标准样片 光刻工艺介绍 EVG光刻机，4英寸的标准衬底，正面光刻和背面光刻，分辨率达到1微米，对版精度1微米。 卡尔休斯光刻机，衬底最大2英寸，可完成非标准尺寸衬底的光刻，正面光刻，分辨率1微米，对版精度1微米。 能完成1微米细线条