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第五章答案 　　第五章 过剩载流子 　　　　（1）设寿命为1μsec ，光照停止后经多少时间，过剩载流子衰减至 　　20%，10%，5%？ 　　?n =(?n ) 0e -t /τ 　　?n 　　(?n ) 0 t =-τln 　　?n =20%,10%,5% (?n ) 0 　　t =1.6, 2.3, 3.0 μs 　　　　（2）为甚么在过剩载流子的寿命τ和单位时间内非平衡载流子的复合几率P 之间有如下联系τ=1/P ？ 　　　　若过剩载流子浓度为?n ，则单位体积内净复合消失的电子-空穴对数（即非平衡载流子的复合速率）为P ?n, 它应等于?n 减少的速率-d(?n) ／dt 　　　　-d (?n ) =P ?n dt 　　-Pt ?n =(?n ) e 0 　　t -1与式 ? n = ( ? n ) 0 e τ 比较可得 P = 　　τ 　　（3）说明准费米能级的含意。若载流子偏离平衡分布，严格说是否存在准费米能级？ 　　　　准费米能级描述数量上偏离平衡, 能量分布仍可与平衡分布相同的体系. 　　　　（4）在无外场一维稳定扩散分布的讨论中，为何只考虑少子的扩散 　　运动？多子又如何？说明形成一维稳定分布?p (x )=(?p )0ex p (-x /L p )的条件。证明在x =0处的扩散电流全部在内部复合掉了。 　　双极扩散系数 　　D p D n (n +p ) D = nD n +pD p 　　在pεg 的光入射到均匀的n 型半导体的表面．设光只在表面极薄的一层中被吸收．可以近似认为过剩电子空穴对只是在表面这一几何平面内由光激发产生。设样品足够厚，以致在到达底面以前已全部复合掉。 边界条件x=0, ?p=(?p) 0; x =∞, ?p= 0。 　　在x=0处的扩散流：单位时间流经单位面积的载流子数: 　　D p 　　(?p ) 0L p 　　　　单位体积复合速率： 　　?p R =τ 　　单位时间在体内复合的载流子总数： 　　　　x - L p ∞∞D p (?p ) e 0?p =Rdx ==(?p ) 0 00??τ 　　L p 　　　　（5）若少子迁移率和寿命分别为1000 cm2/V·sec 和1μsec 　　1）求扩散速度。 　　2）表面复合速度S 多大时才会对过剩载流子的稳态分布产生影响？ 　　3）若S =1000cm/sec，在表面产生的过剩少子在表面和在体内复合的各占多少？ 　　1) D p D p = L p τ 　　kT D p =μp e 　　D p =5?103cm /s L p 　　G 2) (?p ) 0=D p (S p +) L p 　　　　S p ~Dp /Lp （~103 cm/s）时，表面复合速度会对过剩载流子的稳态分布产生影响。 　　　　3) 在表面复合占 　　S p =16. 4% D p S p + L p 　　　　在体内复合占83.6%。 　　（6）从子系化学势的角度，讨论以下几种情形下是否有载流子的净复合或净产生。 　　1）n , p n i ； 　　2）n p 0, 但n p n i 2 　　3）n n 0, p ni ; 　　则E Fe Ei , EFh EFh , 有净复合。 　　2） np0, npni 2; 　　则E Fe EFh , 有净复合。 　　3） nn0, pEF , EFh EF , 但E Fe =EFh , 没有净复合或净产生。 　　4） n, pEi , EFe n i 2, 则 e 1, E Fe -E Fh 0 　　有净复合。反之有净产生。 np =n i 2, 则无净复合和净产生。 　　（7）设Si 中室温过剩载流子寿命为1μsec 　　1）若多子浓度为1015/cm3，少子浓度为零，求小信号条件下，室温下电子、空穴对的产生速率。 　　2）在上述条件下，但温度为500K ，产生速率又如何？两者相差多少倍？ 　　室温下，平衡时，n 0?1015/cm3 　　n i =1.5?1010/cm3 　　p 0? ni 2/ n0=2.3?105/cm3 　　　　?p =0-p 0=-2. 3?10/cm G =-R =-?p 53τ=2. 3?1011/cm 3?s 　　2) 500K ， 查表得n i ?3?1014/cm3, ni τ1, 则P 2r时，直接俄歇复合可起重要作用，即高载流子浓度、窄禁带半导体（c n 、c p 大）有利于直接俄歇复合。 　　间接复合： 　　　　R N N t r n r p 2=(np -n i ) r n (n +n 1) +r p (p +p 1) 　　强n 型只取与n 0有关的一项, 得到 　　　　R N N t r p 2=(np -n i )