基于Geant4的硅材料辐照损伤模拟研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

TN82学校代码 分 类 号 TN82  10701 TN4 学 号 1211122791 密 级 公开 西安电子科技大学 硕士学位论文 基于Geant4的硅材料辐照损伤模拟研究 作者姓名：陈金勇 领 域：集成电路工程 学位类别：工程硕士 学校导师姓名、职称：刘红侠 教授 企业导师姓名、职称：刘琛 高工 提交日期：2014 年 11 月 Simulation of silicon irradiation damage based on Geant4 A thesis submitted to XIDIAN UNIVERSITY in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master in Integrated Circuit Engineering By Chen Jinyong Supervisor: Liu Hongxia Liu chen November 2014 西安电子科技大学 毕业论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 毕业论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日 期： 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用毕业论文的规定，即：研究 生在校学习期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送 交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容， 可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后结合 毕业论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 （保密的论文在解密后遵守此规定） 本论文属于保密，在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 导师签名： 日 期： 日 期： 摘要 随着我国航空航天事业不断取得重大突破，硅基集成电路在太空中应用的范 围越来越广泛，然而太空中的环境非常复杂，存在着大量的不同能量、不同种类 的高能粒子。这些高能粒子的辐照损伤效应会导致半导体器件性能退化，从而使 得航天器材中的电子系统失效。因此研究半导体材料在不同能量不同粒子的辐照 情况下的损伤具有非常重要的价值。 本课题是基于高能粒子仿真软件 Geant4 来研究不同粒子在硅材料的损伤。深 入学习了 Geant4 仿真软件之后，建立了硅材料辐照损伤的模型，这一工作主要包 括硅材料模型的建立，粒子源的建立以及不同能量的各种粒子穿过硅材料时发生 的物理效应的定义。在建立完成仿真模型之后对粒子在硅材料中的辐照损伤进行 模拟。 首先对能量为 1MeV 的中子在硅材料中的损伤进行模拟，得出了 PKA 的能谱 图，这一重要结果为 SKA 的研究打下基础。之后研究了 IEL 和 NIEL 与材料几何 尺寸之间的关系，可以看到纳米器件具有较强的抗辐照能力。随后改变入射中子 的能量得到了入射中子的能量与 PKA 的平均能量之间的关系。通过提取每一个 PKA 在硅材料中的坐标，可以获得出每一个 PKA 在硅材料中的具体位置。当硅材 料的尺寸远小于中子的平均自由程的时候，PKA 近似均匀分布的，当硅材料的尺 寸接近中子的平均自由程，可以看到 PKA 的分布呈现出非常明显的非线性，这是 由于当材料尺寸小于中子平均自由程时，碰撞为随机碰撞，超过平均自由程之后， 中子能量衰减，产生 PKA 的效率降低导致的。 1MeV 伽马粒子在硅材料中占主导作用的是电离能量沉积。由仿真结果可以看 到，电离能量沉积与硅材料的厚度在伽马光子在硅材料中的平均自由程之内的时 候为线性关系。 电子辐照硅材料也会与晶格原子发生作用，形成离位原子，但是由于离位原 子的能量一般比较小，因此不会像中子一样形成级联效应。通过模拟结果可知， NIEL 在硅材料尺寸非常小的时候为线性关系，随着尺寸增加，出现了非常明显地 非线性，这是由于电子的散射概率非常大，电子不断经过慢化和轨迹偏移，最终 趋势偏离了线性关系。 最后模拟了中子-伽马光子综合辐照对硅材料的影响，辐照源的能量范围在 10keV 到 20MeV 之间。从模拟结果可以看到，PKA 的平均能量为 249.064keV，峰 值能量在 10keV 左右，且近似认为 PKA 随深度的分布是均匀的，SKA 的数目比 I PKA 的数目大三个数量级左右，并且