对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率-电子学报.PDF

第１１期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．１１ ２０１８年１１月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｎｏｖ．　２０１８ 对称三材料双栅应变硅 ＭＯＳＦＥＴ 亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型 １ ２ ３ 辛艳辉 ，袁合才 ，辛　洋 （１．华北水利水电大学信息工程学院，河南郑州，４５００４６；２．华北水利水电大学数学与统计学院，河南郑州，４５００４６； ３．水利勘查设计研究院，山东德州，２５３０１４） 　　摘　要：　基于泊松方程和边界条件，推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ： ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）的表面势解析解．利用扩散漂移理论，在亚阈值区电流密度方程的基础 上，提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型．分析了沟道长度、功函数差、弛豫 ＳｉＧｅ层的Ｇｅ组份、栅介质层的 介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高ｋ层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响，并对亚阈值性能改进 进行了分析研究．研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导．模型解析结果与ＤＥＳＳＩＳ仿真结果吻合较好． 关键词：　亚阈值电流；亚阈值斜率；三材料双栅；应变硅 中图分类号：　ＴＮ３８６　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１８）１１２７６８０５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１８．１１．０２６ ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＭｏｄｅｌｓｏｆＳｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄＣｕｒｒｅｎｔａｎｄＳｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄＳｌｏｐｅｆｏｒ ＳｙｍｍｅｔｒｉｃａｌＴｒｉｐｌｅＭａｔｅｒｉａｌＤｏｕｂｌｅＧａｔｅｓＳｉＭＯＳＦＥＴｓ １ ２ ３ ＸＩＮＹａｎｈｕｉ，ＹＵＡＮＨｅｃａｉ，ＸＩＮＹａｎｇ （１．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＷａｔｅｒＲｅｓｏｕｒｃｅｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒ，Ｚｈｅｎｇｚｈｏｕ，Ｈｅｎａｎ４５００４６，Ｃｈｉｎａ； ２．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＳｃｉｅｎｃｅ，ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＷａｔｅｒＲｅｓｏｕｒｃｅｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒ，Ｚｈｅｎｇｚｈｏｕ，Ｈｅｎａｎ４５００４６，Ｃｈｉｎａ； ３．ＷａｔｅｒＣｏｎｓｅｒｖａｎｃｙＳｕｒｖｅｙａｎｄＤｅｓｉｇｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｄｅｚｈｏｕ，Ｓｈａｎｄｏｎｇ２５３０１４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＴｈｅｓｕｒｆａｃｅｐｏｔｅｎｔｉａｌａｎａｌｙｔｉｃａｌｓｏｌｕｔｉｏｎｉｓｄｅｒｉｖｅｄｂｙＰｏｉｓｓｏｎｅｑｕａｔｉｏｎａｎｄｔｈｅｂｏｕｎｄａｒｙｃｏｎｄｉｔｉｏｎｆｏｒ ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌｔｒｉｐｌｅｍａｔｅｒｉａｌ（ＴＭ）ｄｏｕｂｌｅｇａｔｅ（ＤＧ）ｓｔｒａｉｎｅｄＳｉ（ｓＳｉ）ＭＯＳＦＥＴｓ．Ｔｗｏｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｓｏｆ ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｓｌｏｐｅａｒｅｐｒｏｐｏｓｅｄｆｒｏｍｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙｅｑｕａｔｉｏｎｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｄｒｉｆｔｔｈｅｏｒｙ．Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｄ