第三章 正弦波振荡器..pptVIP

二,晶体振荡器电路(Circuit of Crystal Oscillators) ? ? ωq ? ω ? 返回 继续 ? 休息1 休息2 3.5.2.4． 泛音晶振电路 从图3.26(a)中可以看到, 在石英晶振的完整等效电路中, 不仅包含了基频串联谐振支路, 还包括了其它奇次谐波的串联谐振支路, 这就是前面所说的石英晶振的多谐性。但泛音晶体所工作的奇次谐波频率越高, 可能获得的机械振荡和相应的电振荡越弱。  在工作频率较高的晶体振荡器中, 多采用泛音晶体振荡电路。泛音晶振电路与基频晶振电路有些不同。在泛音晶振电路中, 为了保证振荡器能准确地振荡在所需要的奇次泛音上, 不但必须有效地抑制掉基频和低次泛音上的寄生振荡, 而且必须正确地调节电路的环路增益, 使其在工作泛音频率上略大于1, 满足起振条件, 而在更高的泛音频率上都小于1, 不满足起振条件。 在实际应用时, 可在三点式振荡电路中, 用一选频回路来代替某一支路上的电抗元件, 使这一支路在基频和低次泛音上呈现的电抗性质不满足三点式振荡器的组成法则, 不能起振； 而在所需要的泛音频率上呈现的电抗性质恰好满足组成法则, 达到起振。 图3.32（ａ）给出了一种并联型泛音晶体振荡电路。 假设泛音晶振为五次泛音, 标称频率为５MHz, 基频为１MHz, 则ＬＣ1回路必须调谐在三次和五次泛音频率之间。这样, 在５ MHz 频率上, ＬＣ1回路呈容性, 振荡电路满足组成法则。对于基频和三次泛音频率来说, ＬＣ1回路呈感性, 电路不符合组成法则, 不能起振。 图3.32（b）高频等效电路 （c）LC1回路的电抗特性 而在七次及其以上泛音频率, LC1回路虽呈现容性, 但等效容抗减小, 从而使电压放大倍数减小, 环路增益小于1, 不满足振幅起振条件。 LC1回路的电抗性如(b)图所示。  振荡器设计考虑 1、结构（几百千到几百兆）：超短波：电容三点式； 短波选三点式；中波为简化结构可选变压器反馈式； 2、晶体管：FT大减小内部相移；beta大，利于起振； 3、起振和稳幅：基极分压和自偏压结合； 4、器件：电容几十到几百皮法，电感0.1到几十微亨； 5、参数：YfRLF(3~5) 、 Yf=gm=ICQ/26mv 、 F(0.3~0.5) 3.6集成电路振荡器 差分对管振荡电路： 射级跟随+共基放大=正反馈； LC谐振时阻抗最大，反馈最强； 负斜率相频特性满足相位稳定条件； 振幅增加放大倍数减小。 3.6集成电路振荡器 运放振荡器： 同向端 e； 反向端 b； 输出端 c。 3.7.1 变容二极管 变容二极管使利用半导体PN结的电容随反偏电压的变化而变化的特性制成的半导体二极管。 ?电容变化系数，取决于PN结的类型 Cj0 为u=0时的结电容 u 外加的反偏电压 VD为PN结的势垒电压（0.7v） 反偏电压 3.7压控振荡器 3.7压控振荡器 调频波的中心频率 mc为变容二极管的电容调制度，反映电容Cj受调制信号调制的程度，其值小于1。 变容二极管调频原理 讨论：如果?=2 角频率的变化量与调制信号成正比。实现了线性调制。 3.7压控振荡器 3.7.2 变容二极管压控振荡器 小电容、小电感是工作电容和工作电感； 大电容是耦合电容、旁路电容； 大电感是高频扼流圈。 3.7.2 变容二极管压控振荡器 3.7.3 晶体压控振荡器 以石英晶体取代电感； 缺点：频率调控范围窄； 改进措施： 串联电感：串联谐振频率左移； 并联电感：并联谐振频率右移。 3.7.3 晶体压控振荡器 串联：如a图所示，电抗相加，fq左移。 并联：如c图所示，电纳相加，fp右移。 * * * * * * * 1 第三章 正弦波振荡器 3．1 概述 3．2 反馈振荡器原理 3. 3 LC振荡电路 3.4 振荡器的频率稳定性 3.5 晶体振荡器 返回 休息1 休息2 第三章 正弦波振荡器 休息1 休息2 3．2 反馈振荡器原理 休息1 休息2 放大器 A（s） 反馈网络 F（s） Σ 正弦波反馈振荡器的电路组成 电源 有源器件 选频网络 反馈网络 休息1 休息2 3.2工作原理----振荡条件的分析 晶体管 反馈网络 LC 选频网络 休息1 休息2 ui ic1 uc1 uf 3.2工作原理----振荡电路分析实例 VT Rb1 Rb2 Re Ce C L1 Lf EC Cb M 主网络 反馈网络