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功能要求对物质成分进行分析判定技术要求1光谱仪主机
一、功能要求:对物质成分进行分析、判定。
二、技术要求
1 光谱仪主机
1.1 要求仪器具有高度整体性,激光器,光谱仪,显微镜,CCD 探测器等均集成在同
一主机内,以保证仪器短期及长期稳定性。
1.2 # 要求仪器采用长焦长光谱仪,焦长≥250mm (提供技术证明文件,重点验收指
标)。
1.3 #光谱采集模式(≥4 种):单窗口数据采集,多窗口连续数据采集(无缝接谱),
多窗口断续数据采集,连续扫描 (提供技术证明文件,重点验收指标)。
1.4 #整机自动化操作,包括自动切换激发波长,自动切换光栅,自动调节针孔,自
动调节狭缝,自动批处理操作,自动校准,自动强度校正 (提供技术证明文件,
重点验收指标)
1.5 #软件控制,自动切换四个激发波长(包括激光光路,共焦光路,拉曼光路等),
无需手动切换或更换任何光学元件 (提供技术证明文件,重点验收指标)。
2 光谱仪
2.1 #光谱分辨率:
≤0.65cm-1 (585nm FWHM )。
测试条件 (重点验收指标):585nm氖灯线半高宽,≤1800刻线光栅,≥30um针
孔(狭缝)宽度。
≤0.35cm-1 (837nm FWHM )。
测试条件 (重点验收指标):585nm氖灯线半高宽,≤1800刻线光栅,≥30um针
孔(狭缝)宽度。
2.2 灵敏度:硅三阶峰的信噪比≥20:1,并能观察到四阶峰。
测试条件 (重点验收指标):测量Si (111 )三阶峰,采用532nm激发,总积分时
间≤300s 。
2.3 光谱稳定性:≤±0.02cm-1 。
测试条件 (重点验收指标):测量Si 520cm-1拉曼峰,采用532nm激发,10次连续
测量,峰位变化≤±0.02cm-1 。
2.4 光谱重复性:≤±0.02cm-1 。
测试条件 (重点验收指标):测量Si 520cm-1拉曼峰,采用532nm激发,10次连续
测量,光谱范围100-4000cm-1,峰位变化≤±0.02cm-1 。
2.5 光栅:采用等离子刻蚀全息技术,尺寸:≥76mm×76mm 。
2.6 光谱仪平场校正,焦平面≥30mm,配置≥1024 像素CCD 芯片,无边缘畸变。
2.7 非球面大尺寸反射镜,消象散色差,软件控制自动切换激发波长。
2.8 TE 制冷-60 摄氏度CCD 探测器,1024×256 像素。
3 开放式显微镜
3.1 显微镜底座可拆卸可调节,提供足够的空间适合搭建原位装置。
3.2 聚焦样品移动物镜,不调样品台,保证稳定性。
3.3 配置摄像机:采用彩色CMOS 芯片,≥5 百万像素,同时观测样品和激光,软件
控制自动切换显微像和拉曼测量。
3.4 平场消色差物镜 (支持明暗场):5X,10X,50X 长焦,100X。
3.5 #全光谱反射式物镜,光谱范围:200-5000nm,NA=0.65 (提供技术证明文件,重
点验收指标)。
3.6 反射和透射科勒照明。
3.7 反射和透射暗场照明。
4 共焦耦合光路
4.1 #双共焦耦合光路,软件控制,自动切换 (提供技术证明文件,重点验收指标)。
4.1.1 消色差透镜共焦:光谱范围400-700nm 。
4.1.2 消色差反射镜组共焦:光谱范围200-2200nm 。
5 激光器
5.1 325nmHeCd 气体激光器,功率≥25mW。
5.2 325nm 干涉滤光片和两个Edge 滤光片,低波数到150cm-1 。
5.3 # PL 光谱范围:330-700nm 。
5.4 532nm 单纵模固体激光器,功率≥100mW。
5.5 532nm 干涉滤光片和两个Edge 滤光片,低波数到50cm-1 。
5.6 633nmHeNe 气体激光器,功率≥17mW。
5.7 633nm 干涉滤光片和两个Edge 滤光片
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