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载流子产生与复合续内容阅读作业主要问题-EEFOCUS
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
第五讲 载流子产生与复合 （续）
9月12 ，200 1
内容：
1. 热平衡之外的GR率
2. 表面产生与复合
阅读作业
del Alamo Ch. 3，§§3.4 ,3.6
主要问题
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
当载流子浓度被扰动而偏离热平衡时的值时，对产生和复合之间的平衡发生了什么影响？
对每个GR机制是如何打乱的？
决定GR率平衡的主要因素是什么？
如何能表征表面GR？
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
⒈ 平衡 外的GR率
在热平衡时：
在热平衡之外（载流子浓度被扰动而偏离热平衡时的值）：
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
如果G R , 载流子浓度随时间变化。
U
定义净复合率 是十分有用的：
U = R − G
反映内部GR机制的平衡：
如果R G U 0 ，净复合占优势
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
如果R G U 0 ，净产生占优势
如果几个机制同时作用，定义：
U = R − G
i i i
而
U = U
i
在热平衡之外的不同机制对GR率会发生什么影响？
a ） 能带到能带光学GR
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
光产生率没有变化，因为键合数目没有变化：
G = g = r n p
rad rad rad 0 0
如果电子和空穴浓度发生变化时，光复合率受到影响：
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