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半导体制造技术导论（第二版） 第五章 加热工艺 白雪飞 中国科学技术大学电子科学与技术系 提纲 • 简介 • 加热工艺的硬件设备 • 氧化工艺 • 扩散工艺 • 退火过程 • 高温化学气相沉积 • 快速加热工艺系统 • 加热工艺发展趋势 2 简 介 集成电路制造工艺流程 集成电路制造工艺流程 4 加热工艺 • 硅和二氧化硅 – 硅有能力承受高温过程 – 二氧化硅是非常稳定且坚固的电介质材料，并容易通过高温过程形成 • 加热工艺 – 700℃~1200℃高温工艺，扩散、氧化、沉积、退火 – 高温炉加热工艺、快速加热工艺(RTP) – 集成电路制造过程通常由氧化工艺开始，并将经过多次高温炉和快速加 热处理过程 5 加热工艺的硬件设备 高温炉 • 高温炉 – 扩散炉，Diffusion Furnace, DF – 在早期半导体工业中广泛应用于 扩散掺杂 – 分为水平式、直立式 – 加热的大部分零件由熔融石英或 碳化硅制成 水平式高温炉示意图 • 高温炉的组件 – 控制系统：控制工艺程序、收集分析工艺资料、制定工艺程序、追踪批号 – 气体输送系统：负责处理工艺气体并将气体输送到所需炉管中 – 气体排放系统：处理、排放工艺中的副产品和没有用到的原材料气体 – 装载系统：晶圆装载、卸载、暂时储存的区域 – 工艺炉管：进行高温加热过程的区域，由石英炉管、反应室、加热器组成 7 控制系统 高温炉控制系统的功能图 8 气体输送系统 气体输送系统示意图 9 炉管 高温炉示意图 左：水平式；右：垂直式 10 氧化工艺 氧化 • 氧化 – Oxidation – 一种添加工艺，最重要的加热过程之一 • 硅氧化反应 Si +O2 SiO2 – 将氧加入到硅晶圆后在晶圆表面形成二氧化硅 – 当生长二氧化硅时，会消耗衬底上的硅，薄膜将朝向硅衬底内生长 12 硅氧化过程 硅氧化过程示意图 13 氧元素参数列表 名称