载流子的漂移和扩散续内容阅读作业-EEFOCUS.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第八讲 载流子的漂移和扩散 （续） 9月2 1，200 1 内容： ⒈ 在热平衡时非均匀掺杂半导体 阅读作业 del Alamo Ch. 4 ，§4.5 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  热平衡时，在一个半导体中有可能存在一个电场吗？  对电子和空穴电流那意味什么？  在迁移率和扩散系数间有关系吗？  给定一个非均匀掺杂分布，如何计算平衡时载流子浓度？  在什么情况做那平衡多数载流子浓度遵循那掺杂把在一个非均匀掺杂半导体弄平整？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo ⒈ 在 平衡时非均匀掺杂半导体 热平衡时，在一个半导体中有可能存在一个电场 非均匀掺杂分布 □ 高斯定律：电荷产生电场： 3 ρ 体电荷密度[C/cm ]  如果ρ = 0 ε 0 dε  如果ρ = 0 0 dx  有可能ε 0 而ρ = 0 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 在半导体中： N + ; N N − ; N 如果 D D 而 A A □ 在TE时均匀掺杂的半导体：  远离任何表面 电中性。  因为外面没有施加电场 ε 0 = 0 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 时非 掺杂的 导 （型）： 在TE 均匀 半 体 n 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 三个可能：  n0 ( x ) = N D ( x ) 净扩散 电流  n0 ( x )