基于cvd法制备单层石墨烯工艺参数的优化-物理学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Classified Index: O369 Dissertation for the Master Degree in Science Synthesis and Parameter Optimization of Single-layer Graphene Based on CVD Method Candidate： Zhang Xuzhi Supervisor： Prof. Jiang Jiuxing Academic Degree Applied for： Master of Science Specialty： Physics Date of Oral Examination： March, 2016 University： Harbin University of Science and Technology 哈尔滨理工大学硕士学位论文原创性声明 本人郑重声明：此处所提交的硕士学位论文《基于 CVD 法制备单层石墨烯 工艺参数的优化》，是本人在导师指导下，在哈尔滨理工大学攻读硕士学位期间独 立进行研究工作所取得的成果。据本人所知，论文中除已注明部分外不包含他人 已发表或撰写过的研究成果。对本文研究工作做出贡献的个人和集体，均已在文 中以明确方式注明。本声明的法律结果将完全由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 哈尔滨理工大学硕士学位论文使用授权书 《基于 CVD 法制备单层石墨烯工艺参数的优化》系本人在哈尔滨理工大学 攻读硕士学位期间在导师指导下完成的硕士学位论文。本论文的研究成果归哈尔 滨理工大学所有，本论文的研究内容不得以其它单位的名义发表。本人完全了解 哈尔滨理工大学关于保存、使用学位论文的规定，同意学校保留并向有关部门提 交论文和电子版本，允许论文被查阅和借阅。本人授权哈尔滨理工大学可以采用 影印、缩印或其他复制手段保存论文，可以公布论文的全部或部分内容。 本学位论文属于 保 密□，在 年解密后适用授权书。 不保密?。 （请在以上相应方框内打√） 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 哈尔滨理工大学理学硕士学位论文 哈尔滨理工大学理学硕士学位论文 基于 CVD 法制备单层石墨烯工艺参数的优化 摘 要 石墨烯(Graphene)拥有独特的晶体结构，使其具备优异的物理和化学性能， 在微纳器件和超材料领域中有广阔的应用前景。材料性能直接关系到材料的应 用，发挥石墨烯的优异性能，关键在于如何制备拥有性能优良的单层石墨烯。 本文基于化学气相沉积法（CVD）开展课题研究工作，探究了石墨烯的生长过 程中，各关键生长参数对石墨烯质量的影响，测试了石墨烯的透光率和导电性 能；并将生长的石墨烯通过图案化处理制备出简单的电容器构型，探索了石墨 烯在功能器件方面应用可行性。 本文首先研究了以铜箔为基底的单层石墨烯制备工艺，探究了反应温度， 碳源浓度，反应时间等参数对石墨烯生长的影响；优化反应参数，制备出了表 面均一 的 单层 石 墨 烯 薄 膜 ， 通 过 测 试 ， 所 得 石 墨 烯 具 有 较 高 的 透 光 率 （92.7%-95.3%）和较低的方阻（152.2-326.3Ω/sq），保证了石墨烯的在透光和 导电方面的综合性能。研究了低压条件下，以甲烷为碳源，石墨烯在铜箔上的 生长规律，结果发现：随着温度的增加，石墨烯的表面质量也随之变高，但是 高于 1000℃的时候，效果趋于稳定；当甲烷浓度大于 35sccm 时，石墨烯成膜， 但是出现多层区域，随着石墨烯浓度的降低，薄膜的质量和均匀性也随之提高， 然而当浓度达到 5sccm 时，石墨烯并未成膜；在 2min-30min 内，随着生长时间 的增加，石墨烯表面均一性随之提高。根据以上结论，得出试用于我们设备的 优化参数为：生长温度 1000℃，甲烷流量 35sccm，氢气流量 10sccm。此外， 基于光刻技术图案化制备了石墨烯平面电容器结构，从而为石墨烯超材料的制 备提供了实验基础。 关键词 石墨烯；化学气相沉积法；透光率；薄膜方阻；功能结构 I - Synthesis and Parameter Optimization of Single-layer Graphene Based on CVD Method Abstract Graphene has a unique crystal structure, due to its excellent physical and chemical properties, in the electronics and has a broad prospect of app