钯纳米晶的自组织生长及其电荷存储效应的研究-微电子学与固体电子学专的业毕业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 硕 硕 士 学 位 论 文 摘 要 了部 分 分 解 ，同 时 伴 随 着 TiZO 3 到 TIO : 的 转 化 过 程 的 发 生 。当 快 速 热 退 火 温 度 上 升 到 90 0 ℃ 时 ，P d O 继 续 发 生 分 解 ，且 P d 纳 米 颗 粒 直 径 变 大 。 (3) 制 作 了 以原 子 层 淀 积 A1 2O 3 为 隧 穿 层 与 阻挡 层 ， 以 内嵌 P d 纳 米 晶 的 TIO : 薄 膜 为 电 荷 俘 获 层 的 M O S 电容 结 构 ， 并 采 用 金 属 P d 为 电极 。其 电 学 测 试 结 果 显 示 ，该 M O S 结 构 的 C 一V 滞 回 窗 口随着 扫 描 电压 范 围 的增 大 而 不 断 增 大 ，表 明 了 内嵌 于 TIO : 薄 膜 中 的 P d 纳 米 晶 具 有 很 好 的 电荷 俘 获 特 性 。对 于 内嵌 P d 纳 米 晶 的 M O S 电容 器 ， 当扫 描 范 围 为士3v 时 ， 该 电容 表 现 出 的 C 一V 滞 回 窗 口 (△V FB ) 只 有 一 0.5V 。 随 着 扫 描 电 压 的 增 大 ，滞 回 窗 口不 断 增 大 。 当 扫 描 电 压 范 围 为 士g V 时，c 一v 滞 回窗 口达到 (△v 阳 ) 8.2v 。有趣 的是 ，当扫描 电压 范 围从士3v 增加 到士SV 时 ，平 带 电 压 的 偏 移 量 从 0.5V 突 变 到 3 .IV 。而 且 ， 当 正 向 扫 描 时 ， 随 着 初 始 扫 描 电压 的 增 加 ，M O S 电容 的 平 带 电压 V FB 显 著 地 向 负 电压 方 向移 动 ，且 没 有 出现 饱 和 现 象 。然 而 ，对 于 负 向扫 描 时 ，随 着 初 始 扫 描 电压 (正 偏 置 ) 的 增 大 ，所 得 平 带 电压 向 正 方 向偏 移 ，但 很 快 达 到 饱 和 。换 句 话 说 ，当 初 始 扫 描 电压 叼 V 时 ，所 得 平 带 电压 V FB 随 着 初 始 扫 描 电压 的 增 加 有 比较 明 显 的 正 方 向偏 移 。 然 而 ， 当初 始 扫 描 电 压七gv 时 ，所 得 平 带 电压 v 阳 基 本 不 随 初 始 扫 描 电 压 的 增 大 再 向 正 方 向偏 移 ，即 电 子 存 储 达 到 了饱 和 。这 是 由于 电 荷 隧 穿 机 制 在 低 压 下 主 要 是 直 接 隧 穿 ，而 在 高 压 下 则 为 F 一N 隧 穿 ; 而 对 于 空 穴 来 讲 ， 由于 金 属 P d 与 阻 挡 层 介 质 的 价 带 偏 移 (ban d o ffs et) 较 大 ，以致 于 空 穴 在 高 压 下 也 不 可 能 发 生 F 一N 隧 穿 ，而 仍 然 以直 接 隧 穿 为 主 。同 时 ，实 验 结 果 表 明 当 电 压 恒 定 为+ gV 时 ，所 施 加 脉 冲 宽度 为 10n s 就 能够 使 M O S 电容 产 生 一 Z V 的 平 带 电压 偏 移 ; 当施 加 脉 冲 宽 度 恒 定 为 10 m s 时 ，脉 冲 电 压 为 +7 V 就 能 够 使 M O S 电容 产 生 一 Z V 的平 带 电压 偏 移 。 通 过 对 不 同脉 冲 电 压 和 脉 冲 宽度 下 有 效 注 入 电荷 密 度 和 注 入 速 度 的 计 算 ， 经 计 算 得 到 最 大 注 入 电荷 密 度 约 为 8 、10 ]lcm 一2 。同 时 ，电荷 注 入 过 程 基 本 发 生 在 初 始 阶 段 ， 且 有 效 电荷 注 入 速 度 在 初 始 的 lons 范 围 内约 为 6x l0 12cm 一2娜 一1。 实 验 表 明 这 种 结 构 的 纳 米 晶 存 储 器 将 会 有 很 大 的 应 用 前 景 。 关 键 词 : 非 挥 发 性 存 储 器 ; 分 离 电荷 存 储 : 磁 控 溅 射 ; 快 速 热 退 火 : 车巴纳 米 晶 硕 士 硕 士 学 位 论 文 A b strae t A b str a C t W ith th e d e v e lo P m e n t o f se m ie o n d u e to r te e h n o lo g y a n d d o w n sc a lin g o f th e d e v ie e f ea tu re siz e ，th e e o n v e n tio n a l P o ly 一silie o