基于cmos工艺的毫米波压控振荡器芯片设计-电路与系统专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘 要 近十年来，随着无线通信技术的蓬勃发展，特别是移动互联网和个人无线智 能设备的兴起，现代无线通信系统对传输速率的要求越来越高，传统的无线传输 标准和频段已经不能满足未来无线通信系统的需求了。而当前无线系统中使用的 无线电频谱，频谱带宽资源有限，严重制约着高速无线系统的进步。毫米波频段 作为一个新兴的研究热点，很多频谱资源都还没开发利用，在个人无线通信、生 物医疗、成像以及制导等国防民生行业发展前景广大，吸引了学术界和工业界的 广泛关注。随着 CMOS 工艺的不断进步，当前基于 CMOS 工艺的毫米波芯片在性 能上已经达到甚至超过传统 III-V 族毫米波电路，同时 CMOS 工艺具有面积小、功 耗低以及成本低的优点。因此，高性能、高速率、低功耗的 CMOS 通信芯片的研 究成为当前学术界的研究热点。 在毫米波无线通信系统中，频率源是通信设备中必不可少的器件，它旨在为 收发系统提供一个本振信号。它的调谐范围、相位噪声、频率稳定度对于整个通 信链路的质量至关重要。本课题旨在设计基于 CMOS 工艺的低功耗、低相位噪声 的毫米波压控振荡器，本文主要分为以下几个部分。 首先本文对压控振荡器的基础知识进行介绍，介绍振荡器电路的两个基本模 型以及毫米波压控振荡器中的无源器件，从而引出在毫米波频段，压控振荡器面 对的挑战以及设计思路。 其次对压控振荡器电路的相位噪声模型进行分析。介绍现有的主要两种相位 噪声模型， Lesson 噪声模型以及 Hajimiri 噪声模型。从宏观的角度更深刻地认识 压控振荡器的相位噪声来源。由此引出几种改善压控振荡器相位噪声的方法，从 而设计出高性能的压控振荡器。 最后本文基于 90nm CMOS 工艺设计了一款 Q 波段压控振荡器以及基于 65nm CMOS 工艺设计了一款 V 波段压控振荡器。其中 Q 波段压控振荡器采用 LC-tank 结构，由于毫米波段寄生效应较大，因此放弃了低频段压控振荡器设计时提取寄 生参数的方法，而采用 HFSS 对版图进行后仿。V 波段压控振荡器在吸取之前的经 验的同时，引入 Class-C 和注入锁定技术以改善相位噪声。 关键词：毫米波，CMOS，压控振荡器， Q 波段，V 波段 AB ABSTRACT II II ABSTRACT Over the past decade, with the rapid development of wireless communication systems, especially the rise of mobile internet and personal wireless smart devices, modern wireless communication systems need more and more transmission rate, and traditional wireless transmission standards and frequency band have been unable to meet the demand of future wireless communication system. The current wireless system’s radio spectrum, limited spectrum bandwidth resource, seriously restricted the advancement of high speed wireless systems. Millimeter wave band as a new hotspot, a lot of spectrum resources are not used, it has a great potential in the personal wireless communications, biomedical, imaging, guidance and so on, which attracted wide attention in both academia and industry. With CMOS process to continue to progress, the current CMOS technology based on millimeter wave chip’s performance has met even exceeded the traditional III-V element’s millimeter wave circuits, while CMOS process has small size, low power consump