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* * 光敏电阻?光电导应用一例 光敏电阻是一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件 ，也称为光导管，它基于半导体光电导效应工作 光敏电阻没有极性，工作时可加直流偏压或交流电压 当无光照时，光敏电阻的阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小；当它受到一定波长范围的光照射时，其阻值(亮电阻)急剧减小，电路中电流迅速增加 根据电流值的变化可推算出照射光强的大小 §7.2 光电导 §7.2 光电导 光敏电阻结构 §7.2 光电导 光敏电阻的几个特性 a、暗电阻、亮电阻：光敏电阻未受光照时的阻值称为暗电阻，受强光照射时的阻值称为亮电阻。暗电阻越大而亮电阻越小，灵敏度越高。 b、伏安特性 c、光谱特性 d、响应时间和（调制）频率特性 e、温度特性 §7.2 光电导 光敏电阻的伏安特性 在一定光照下，所加的电压越高，电流越大；在一定的电压作用下，入射光的照度越强，电流越大，但并不一定是线性关系 §7.2 光电导 光敏电阻的光谱特性 图20 对于不同波长的光，光敏电阻的灵敏度是不同的。 在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性 §7.2 光电导 光敏电阻的频率特性 光电器件的响应时间反映它的动态特性。响应时间越短，表示动态特性越好。 对于采用调制光的光电器件，调制频率的上限受相应时间的限制。光敏电阻的响应时间一般为10-1～10-3s，光敏二极管的响应时间约2×10-5s §7.2 光电导 光敏电阻的温度特性 随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。 硫化铅光敏电阻等光电器件随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动，所以红外探测器往往采取制冷措施 §7.3 光生伏特 对于半导体 p-n 结而言，光照后产生电压差的现象，将太阳能转变为电能，即太阳能电池工作原理 照射在 p-n 结上，由于本征吸收，在结区产生电子－空穴对。在光激发下，多数载流子的浓度一般改变很小，而少数载流子的浓度变化很大。这里主要讨论光生少数载流子的运动。 §7.3 光生伏特 光生伏特效应 当光子能量大于 p-n 结禁带宽度后，光照射在 p-n 结上，产生本征吸收，在结区产生电子－空穴对。 p-n 结中存在内建电场，结两边的光生少数载流子受该内建场的作用，各自向相反的方向运动。 p 区的电子穿过 p-n 结进入 n 区，而 n 区的空穴进入 p 区，从而在 p 型和 n 型区有电荷积累；使得 p 端的电势升高，n 端的电势降低，从而在 p-n 结两端形成一光生电动势。 如果 p-n 结两端接上负载，在适当的光照下将有电流流过负载，光敏二极管的光电流 I 与照度之间呈线性关系。 §7.3 光生伏特 （a）开始光照 （b）平衡态 半导体二极管 p-n 结的光生伏特原理图 §7.3 光生伏特 光电池的两个重要概念：开路电压和短路电流 a、开路电压：有光照，但外电路断开，在 p-n 结两端形成的电势差 V0，即光电池的开路电压（V0）。 b、短路电流：有光照，外电路短路，在p-n结两端不能形成光生电压，但流过外电路的电流最大，为光电池的短路电流 I0。 §7.3 光生伏特 光电流 Il 的主要来源或组成 光电流 Il 由两个组成部分，即：Ige 和 Igh Ige：由 p 区产生能扩散到势垒区的电子部分 Igh：由 n 区产生能扩散到势垒区的空穴部分 G：单位体积内产生载流子的产生率 A：p-n 结的结面积， Ln、Lp：电子和空穴载流子的扩散长度， e：电子的电荷。 Il 与 p-n 结的特征参数和光照等密切相关。 结面积A越大，则 Il 越大。 §7.3 光生伏特 有负载时的光生伏特等效电路 光照在 p-n 结两端产生光生电动势，相当于在 p-n 结两端加正向电压 V（注意在开路时与开路电压 V0 相等）。在有负载而形成回路后，p-n 结中有正向电流 If 流过。 有负载时，由于光电压输出电压为 V，这样流过负载的电流 I 则是光电流 Il 减去 p-n 结中的正向电流 If 。 有负载 R 时半导体光电二极管 D 的等效电路图 光电池在工作时共有三股电流：光生电流 Il，在光生电压 V 作用下 p-n 结的正向电流 If，流经外电路的电流 I。Il 和 If 都流经 p-n 结，但方向相反。 §7.3 光生伏特 p-n 结的开路电压和短路电流 p-n 结在有 V 正向电压偏置时的正向电流 If 取下面的形式 其中 Is为 p-n 结的反向饱和电流 开路时 p-n 结开路电压 V0 和短路时 p-n 结短路电流 I0 短路电流 I0 即为光电流 显然， p-n 结的开路电压和短路电流与 p-n 本身