第6章半导体二缓极管和三极管13443.pptVIP

3.杂质半导体的特性 例6.3 有两个稳压管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V，现分别要得到3V、6V、14V几种稳压值，试画出其电路图。 解 ： 利用稳压管反向导通时两端电压等于它的稳定电压，正向导通时两端电压等于它的正向压降，按图6.13(a)、（b）、（c）连接，可分别得到3V、6V、14V几种稳定电压值。图中R是限流电阻，不能缺少。假设E大于14V。 6.4 发光二极管 ?发光二极管（Light Emiting Diode），简称LED，是一种将直接把电能转换成光能的器件，没有热交换过程。它在正向导通时会发光，导通电流增大时，发光亮度增强。其外形和电路符号分别如图6.14(a)、（b）所示。 ? LED 6.5.1 基本结构 三极管的结构，最常见的有合金型和平面型两类。 6.16(a)为合金型（主要为锗管）, 6.16(b)为平面型（主要为硅管），都是通过一定的工艺在一块半导体基片上制成两个PN结，再引出三个电极，然后用管壳封装而成。 6.5 半导体三极管 2、电流的形成 发射结 正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE(发射极电流)是由扩散运动形成的。 （1） 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 （2） 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散（电子进C区）IEC（发射极至集电极电流） 复合（电子在B区）IEB（发射极至基极电流） 基区中的 复合电子 形成稳定的基极电流IB IB（基极电流）是由复合运动形成的 IB 复合电子形成电流IEB EB拉走电子形成电流IB 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结 反偏 EC收集E区扩散到B区的电子形成IEC C区的空穴进B区形成反向饱和电流ICBO { 穿过发射结的电流主要是电子流 IEC 形成集电极 电流IC IC (集电极电流)是集电极收集基区电子（实际是发射区的电子）形成的。 1、输入特性曲线 当 时三极管就相当二个并联的二极管，它的输入特性曲线就是一个二极管的特性曲线。 增加， 增加。如图示。 随着 的增加， 亦增加，即特性曲线变陡（内移）。 增加到一定值（ ）后对 就没有影响。当 后，输入特性曲线就是一个二极管特性曲线。 1、输出特性曲线 （1）工作条件 （2）工作特点 IC只随IB变化 （1）工作条件 （2）工作特点 IB的变化对IC的影响较小，发射结、集电结相当二个导通的二极管。 （1）工作条件 （2）工作特点 发射结、集电结反偏相当二个截止的二极管，故：IB≈0 6.5.4 三极管的主要参数 1、电流放大系数β (1)共发射极直流电流放大系数 是反映集电极电流IC与基极电流IB之比。 (2)共发射极交流电流放大系数β β是集电极电流变化量与基极电流变化量之比。 一般 ，在实际应用中不区别，均用β。 2、极间反向电流 （1）集电极-基极间的反向电流ICBO ICBO是指发射极开路时，集电极-基极之间的电流，亦称集电结反向饱和电流。（少数载流子电流）。受温度的影响极大。此参数越小越好。 （2）集电极-发射极间的反向电流ICEO ICEO是指基极开路时，集电极-发 射极间的反向电流，亦称集电结穿 透电流。 ①穿透电流ICEO与反向饱和电流ICBO 的关系： ②在共发射极电路中，当有IB存在 又考虑穿透电流ICEO时，可以得到 IC的关系式： 温度、放大系数β对IC的影响很大，实际中 应该选择ICEO较小、β较小的三极管。 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 集电极的电流超过一定值后，电流放大系数β就会下降。ICM就是β下降到正常值的三分之二时的值。当IC＞ICM时，管子不一定会损坏，但是β值要显著下降。 (2)集-射极反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是在基极开路时，加在集 射极间的最大允许电压。当三极管 的集-射极电压UCE＞ U(BR)CEO时， ICEO会突然增加，说明三极管击穿 了。 (3)集电极最大允许耗散功率PCM * * 电工电子技术基础 武汉职业技术学院机械工程系 2010年3月 第6章 半导体二极管 和三 极 管 目 录 1.1 电路和电路模型 1.2 电路基本物理量 1.3 电阻元件、电感元件和电容元件 1.4 电压源、电流源及其等效变换 1.5 基尔霍夫定律 1.6 复杂电路的分析和计算 目