有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 #’ % $$( % ， ， ， 4C? -#’ DC - % N=,A=OP $$( （ ） %$$$+;)$5$$(5#’ $% 5$#’2+$# 9G 7L:EM9 EMDM9 #$$( 9Q, - 7QPR - EC0 - 有机硅化合物 金属氧化物绝缘保护材料在 ! 制造高压晶闸管中的应用研究! ! 刘秀喜 王公堂 （山东师范大学物理与电子科学学院，济南 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ( $$’ # ) 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物，按比例均匀混合制成糊状材料，涂敷于器件台表面，用于半导体 结 *+, 表面特性的控制和保护 固化后该材料在室温下的体电阻率大于 %# · ，介电常数为 ，击穿电压高于 - ’ .# / %$ ! 01 .’ %2 34511 - 该材料用于67#$$ 型晶闸管表面保护，能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平，并对提高 器件性能的机理进行了研究- 关键词：绝缘保护材料，性能，晶闸管，机理 ： ， ， #$$ ’(#$8 ’)2$9 (%$ 表示）组成的绝缘保护材料（简称为 材料）该材 EF - %. 引 言 料经性能检测，各项技术指标均达到晶闸管制造要 求，用于67#$$ 型晶闸管表面保护，能明显减少漏电 目前，半导体器件常用的有机保护材料主要有 流，提高电击穿特性，产品合格率和优品率有显著 硅漆、硅橡胶和聚酰亚胺等，这些材料虽在低压器件 提高- 保护上具有某些优点，但用于高压器件表面保护，漏 ［］ % 电流较大、稳定性和可靠性较差 随着国民经济的 - . EF 材料的研制 迅速发展，电力电子装置对器件的质量提出更严格 原材料的选取： ）选取高纯液态有机硅化合 的要求 为了保证器件能长期稳定可靠地工作，需要 % - 提高器件的耐压水平和高温特性 要达到这一目的， 物，