第7章理光刻胶.ppt

光刻胶的涂敷和显影设备 实验室的涂胶设备通常是单个涂胶台，显影用浸入式操作；工业上一般采用轨道多头涂胶、显影复合装置。由微机控制装片、时间、转速、卸片等各种工艺参数，涂胶和显影自动完成。显影时，显影液喷布整个圆片，不会有浓度改变问题。 7.6 二级曝光效应 二级曝光效应:实际上指由于胶对不同波长光的吸收，以及圆片上台阶高度对光刻线条的影响。 光刻胶对不同波长的光有不同的吸收系数，吸收系数太大，曝光时光被上层胶充分吸收，下层胶显得曝光不足； 吸收系数太小，曝光期间几乎没有光被吸收，需要很长的曝光时间。选择对所用光线有合适吸收系数的胶，对光刻质量很重要。 1、在选择光刻胶时，必须考虑它的吸收谱，以及在特定波长下的光学吸收系数α。 2、还要考虑基体材料对光的吸收。例如酚醛树脂就对深紫外光有很强的吸收。被基体材料吸收的光到达不了感光化合物，从而影响光刻胶的灵敏度。 可知，当α太大时，则只有光刻胶的顶部能被有效曝光；当α太小时，则由于吸收太少而需要长时间的曝光。 3、当硅片表面凹凸不平时 ，遇到的第一个问题是硅片表面倾斜的台阶侧面会将光反射到不希望曝光的区域。第二个问题是使胶膜的厚度发生变化：在硅片表面凹下处胶膜较厚，导致曝光不足；在硅片表面凸起处胶膜较薄，导致曝光过度。胶膜厚度的不同还会影响对比度。 解决这个问题的办法是表面平坦化。 树脂对光的吸收不会使PAC发生光化学反应，而树脂对深紫外光的吸收很好，所以，DQN胶不适合低于250nm深紫外光的使用。 圆片表面的台阶将使涂布的胶的厚度不均匀，胶在台阶边缘厚，而在台阶上薄，从而有不同的对比度和不同的感光量要求，导致经过台阶线条的变形，甚至会影响器件的可靠性。解决办法是预先平坦化和采用多层胶，降低台阶高度的影响，但工艺复杂。 台阶对光刻的影响 7.7 双层光刻胶技术 随着线条宽度的不断缩小，为了防止胶上图形出现太大的深宽比，提高对比度，应该采用很薄的光刻胶。但薄胶会遇到耐腐蚀性的问题。由此开发出了 双层光刻胶技术，这也是所谓 超分辨率技术 的组成部分。 顶层胶：含硅，厚约 0.25 ?m 底层胶：也称为干显影胶，厚约 0.5 ?m 对顶层胶曝光显影 对底层胶作含氧的 RIE 刻蚀 据报导，采用 193 nm 波长光源，在底层胶上获得了 0.15 ?m ~ 0.12 ?m 宽的线条。用 CF4 RIE 法刻蚀掉 0.23 ?m 厚的多晶硅后，还有约 50% 的底层胶保留下来。 小结 光刻胶的类型与特性，重点讨论了光刻胶的灵敏度、分辨率、对比度及其相互关系。 介绍了涉及光刻胶的工艺步骤。 最后介绍了双层光刻胶技术。 * 硅片清洗 去除玷污 去除微粒 减少针孔和其他缺陷 提高光刻胶黏附性 基本步骤 化学清洗 冲洗 干燥 传统方法 高压氮气吹 刷子旋转刷 高压水冲洗 1、光刻工艺-前烘 去水烘干 去除硅片表面的水份 提高光刻胶与表面的黏附性 通常在100℃ 与前处理同时进行 2、光刻工艺-前处理 防止显影时光刻胶脱离硅片表面 通常使用：六甲基二硅胺（HMDS） 匀胶前HMDS蒸汽涂布 通常和前烘一起进行 匀胶前硅片要冷却 硅片冷却 匀胶前硅片需要冷却到环境温度 硅片在冷却板上冷却 温度会影响光刻胶的黏度 影响光刻胶的厚度 3、涂胶 一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜厚的均匀性。胶膜的厚度决定于光刻胶的粘度和旋转速度。 3) 甩掉多余的胶 4) 溶剂挥发 1) 滴胶 2) 加速旋转 匀胶 硅片吸附在真空卡盘上 液态的光刻胶滴在硅片的中心 卡盘旋转，离心力的作用下光刻胶扩散开 高速旋转，光刻胶均匀地覆盖硅片表面 先低速旋转~500rpm 再上升到~3000-7000rpm 黏度 ? 在固体表面的流动性 ? 影响匀胶厚度 ? 与光刻胶的类型和温度有关 ? 高速旋转有利于匀胶的均匀性 硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘 排气系统：可控旋转马达；给胶管和给胶泵 边缘清洗（去边） 边缘光刻胶的去除方法 a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域； b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解。 5、曝光 4、匀胶后烘（软烘） 使光刻胶中的大部分溶剂蒸发 溶剂帮助得到薄的光刻胶膜但是吸收光并且影响黏附性 曝光后烘时间和温度取决于工艺条件 过烘：聚合，光敏性降低 后烘不足：影响黏附性和曝光