双栅氧氧化前湿法刻蚀、清洗工艺对薄氧化层CMOS器件性能的影响及其优化-集成电路工程专业论文.docxVIP

A b A b str a c t T h e w e t c l e a n in g p r o c e s s o f s em i c o n d u c t o r w a f e r s h a s b e c om e o n e o f t h e m o s t c r i t ic a l o p e r a t io n s in t h e f a b r ic a t io n o f s em i c o n d u c t o r d e v ic e s, e sp e c ia l ly a dv a n c e d U L S I s i l ico n c ir c u it s . W e t c lea n in g pr o c e s s in c lu de w e t e t ch ing , w e t p r e c l ea n in g , w e t p h o t o r e s is t s tr ip p in g , a n d d e p en d in g o n th e de ta i l r e q u ir em en t o f p r o ce s s f low in th e f a br ic a t ion o f in te gr a ted c ir c u i ts，th e y ex i st i n th e F r o n t- E n d- O f- L in e a n d Ba c k - E n d—O f- L in e b o t h . In th e a dv a n ce d C M O S c ir cu i t te c h n o lo g y , d u a l g a te o x ida t io n p r o c e s s i s m or e p op u la r , b ec a u s e o f it s im p r o v em e n t in t h e in te gr a t io n o f d if f er e n t d ev ic e s w h i c h w o r k w it h d if fe r e n t v o lta g e， su ch a s h ig h v o lt a g e f or t r a n sp or t a t ion a n d low v o l t a g e f or lo g ic a l c a lcu la t io n . A d u a l g a te o x id a t io n p r o c e s s f o r m s tw o a c t iv e a r ea s w it h d i f f e r e n t g a t e o x i d e th ickness through wet etching and 2nd ox ida tion. The th ick ox ide for the h ig h v o lta g e w o r k a r e a , a n d th e t h in f or th e low . T h e r e a r e to ta l 4 st e p s w e t p r o c e s s e s in t h e d u a l g a t e o x id a t io n f l ow : t h e p r e c le a n in g p r o c e s s b efore the 1st and 2nd ox idation, w et etch ing for the low voltage work ar ea o x id e , a n d w e t p h o t o r e s i s t s t r ip p in g a f t er w e t e t ch in g . B e in g d i f f e r e n t w it h t h e w e t p r o c e s s f o r o th e r p u r p o s e , a l l c h em ic a l p r o c e s s in t h e d u a l g a t e o x ida t io n f low w i l l a t t a ck th e t h ic k g a te o x ide a n d s i l ico n a