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铝合金表面新型锆系转化膜的研究-化学工程专业论文.docxVIP

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铝合金表面新型锆系转化膜的研究-化学工程专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 铝合金表面新型锆系转化膜的研究捅 铝合金表面新型锆系转化膜的研究 捅 要 本论文分为两部分,第一部分为聚天冬氨酸改性的锆转化膜耐蚀性研究;第二部分 为具自修复性的杂多酸改性锆系转化膜研究。 (1)采用浸渍法常温下在铝合金表面制备出一种高耐蚀性、高稳定性、高附着力 的新型有机无机复合转化膜。用重铬酸钾点滴试验、电化学工作站、场发射扫描电镜、 X射线光电子能谱(XPS)等方法对膜层耐蚀性、微观形貌及化学组成进行表征,并采 用退膜试验、耐水煮试验,抗杯凸试验和转化液稳定性试验对复合转化膜的膜重及附着 力,转化液的稳定性进行了测试分析。结果表明:聚天冬氨酸的加入量在0.5~1.09/L时 获得的转化膜耐蚀性最佳,相应的电化学拟合阻抗为64.26k.Q;通过聚天冬氨酸的加入 可以改变膜层表面形貌,使得膜层有机物组分碳氧化合物的含量增加;此外聚天冬氨酸 也使得膜层更为致密且耐盐水浸泡时间更长,但有机物的加入会使得膜重增加,不利于 器材轻量化。通过对XPS数据分析,该复合转化膜主要成分是Zr02、ZrOF2及其有机 络合物,这种环境友好的转化膜,有望取代铬酸盐处理工艺。 (2)以钨酸钠、偏钒酸钠、氟锆酸钾为成膜主盐,氟硼酸及硝酸镁为促进剂常温下利 用浸渍法在铝合金表面制备了具自修复性的杂多酸改性锆系转化膜。实验同时研究了转 化液pH值,转化温度及转化时间对钒锆复合膜层耐蚀性的影响。通过重铬酸钾点滴试 验、电化学工作站、XPS、场发射扫描及能谱(EDS)等测试手段研究了不同氧化剂添 加后膜层的微观形貌及耐蚀机理。结果表明:双氧水和钨酸钠可以增加钒锆转化膜的耐 蚀性,其中钨酸钠表现出来的自修复性能更加明显;过硫酸铵和高锰酸钾会降低钒锆转 化膜的耐蚀性,并且膜层没有表现出期望的自修复性能。在实验条件优化的基础上对钨 钒杂多酸锆系转化膜进行了详细的XPS检测分析其自修复机理,结果表明成膜过程中 钨钒杂多酸颗粒会夹杂在锆的沉积物并且主要沉积在膜层底部,当膜层受到腐蚀介质攻 击时,钨钒杂多酸和铝基体及其内部复杂的杂多酸平衡体系将受到破坏,杂多酸会在腐 蚀介质穿入微孔时发生聚合和氧化还原反应,包裹在钒酸根周围的钨酸根在酸性环境下 会氧化钒元素使钒元素复归于高价态,杂多酸对铝基体还会产生二次钝化,使得受到破 坏的氧化膜更加致密,宏观上起到自修复作用。 关键词:铝合金:耐蚀性;转化膜:自修复;聚天冬氨酸;钨钒杂多酸 II 万方数据 硕士学位论文Abstract 硕士学位论文 Abstract This paper includes two parts.The first part was a study on a polyaspartic modified on aluminum zirconium·based conversion.The second part Was about self-repairing tungstovanadate-zirconium conversion coating. (1)In this work,the composite conversion coating on aluminum alloys Was performed by immersion in a solution containing polyaspartic.Spot test,electrochemical workstation, scanning electron microscopy,X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)and other methods detected coating corrosion resistance, chemical composition and microstructure characterization,by adopt Stripping,water cook test,anti-Cupping test and conversion solution stability test discussed conversation coatings weight and adhesion,stability of conversion liquid composite.The results showed that:when polyaspartic added in the amount of 0.5~1.Og/L obtained the coating Was of good corrosion resistance,corresponding electrochemical impedance fitting

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