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聚吡咯包覆comoo4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能
( ), , ,
浙江理工大学学报 自然科学版 第 卷 第 期 年 月
３７ １ ２０１７ １
( )
JournalofZheian SciＧTechUniversit NaturalSciences
j g y
, ,
Vol．３７ No．１ Jan．２０１７
: /
DOI１０．３９６９ ．issn．１６７３Ｇ３８５１．２０１７．０１．００４
j
聚吡咯包覆CoMoO４纳米片自组装多孔柱阵列的
制备及其赝电容性能研究
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张志强 袁永锋 郭绍义 林金鑫 戎 泽
( , )
浙江理工大学机械与自动控制学院 杭州 ３１００１８
: .
摘 要 采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的 纳米片自组装多孔柱阵列
CoMoO４
、 ,
通过 和 分析产物的组成与结构 发现产物呈现聚吡咯包覆 纳米片自组装多孔柱阵列的
XRDFTIR SEM CoMoO４
－１
. 、 , ,
复合结构 通过恒流充放电 循环伏安法研究CoMoO４ 的超电容性能 在电流密度为 １００mA g 的条件下 包覆
－１ －１
; , ,
CoMoO４ 的比电容为１２０５F g 在 ２００mA g 充放电循环 ３０００次后 比电容值仍保持为初始值的 ８５．７％ 是
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未包覆 CoMoO４ 材料的１．６倍 聚吡咯包覆 CoMoO４ 纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳
定性.
: ; ; ;
关键词 CoMoO４ 聚吡咯 电化学聚合 超级电容器
中图分类号: ; 文献标志码: 文章编号: ( )
O６１４．８１TB３３１ A １６７３Ｇ３８５１ ２０１７ ０１Ｇ００１８Ｇ０６
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种理想的聚合物电极材料 聚吡咯复合其他材料能
引 言
０
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