光电耦合器电流传输比的噪声表征.pdf

第 28 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 28 　No . 4 2007 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2007 光电耦合器电流传输比的噪声表征 1 , 1 2 1 2 1 1 1 胡 　瑾 　杜 　磊 　庄奕琪 　何 　亮 　包军林 　黄小君 　陈春霞 　卫 　涛 ( 1 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 　7 1007 1) (2 西安电子科技大学微电子学院, 西安 　7 1007 1) ( ) 摘要 : 光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比 C TR 的重要因素 , 并与器件可靠性有密切关 系. 在器件内部的多种噪声中, 1/ f 噪声可有效地表征器件陷阱密度. 本文在研究光电耦合器工作原理以及 1/ f 噪 声理论的基础上 , 建立了光电耦合器的 C TR 表征模型和 1/ f 噪声模型. 在输入电流宽范围变化的条件下 , 测量了 器件的电学噪声和 C TR 变化 , 实验结果验证了以上模型的正确性. 将 C TR 模型与噪声模型相结合 , 得到了 C TR 与 1/ f 噪声之间的关系. 此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析 , 实验结果与理论得到的结论一致. 理论 与实验结果表明, 噪声幅值越大 , 电流指数越接近于 2 , 则器件的可靠性越差 , 相同工作条件下 C TR 的老化衰减量 越大 , 其失效率显著增大. 从而证明噪声可表征光电耦合器的 C TR 并能准确地反映器件的可靠性. 关键词 : 1/ f 噪声; 光电耦合器; 电流传输比; 陷阱 PACC : 7270 ; 5225 G ; 7960 中图分类号 : TN 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2007) 完整性引起的, 如氧化层陷阱、晶格位错等. 而这些 1 　引言 陷阱也正是引起器件失效的主要因素 , 所以低频噪 声尤其是 1/ f 噪声与器件可靠性密切相关. 如上所 随着光电混合集成电路技术的发展及生产工艺 述 , 陷阱是引起光电耦合器 C T R 降低的主要因素. 的日趋成熟 , 光电耦合器件在军用和民用领域都受 由此推断低频噪声也有望用于光电耦合器 C T R 降 到普遍青睐. 但是 , 由于光电耦合器自身的结构较一 低的表征. 基于这一设想 , 本文在发光二极管可靠性 般器件复杂 , 其质量和可靠性的控制 、预测和评估也 噪声表征模型[ 4 ] 的基础上 , 研究噪声用于光电耦合 较一般混合电路困难和复杂. 导致光电耦合器性能 器 C T R 表征的方法. ( ) 退化的主要因素是电流传输比 C T R 的降低 , 而引 本文首先对器件的内部结构进行了研究, 通过 起 C T R 降低的直接原因是材料中产生能够俘获载 建立光电耦合器的 C T R 模型 , 证明陷阱密度是