电阻存储器rram的可靠性研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低 成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash仍是非挥发存储技术的 主流，占据了非挥发存储器市场约90％的份额，但随着半导体工艺技术代的不断 推进，Flash遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩 小而无限制地减薄。此外，Flash的其它技术缺点也限制了其应用，如操作电压 高、写入速度慢等。这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代非挥发存储技术， 比如，MRAM(磁阻存储器)、FeRAM(铁电存储器)、PCM(相变存储器，又 称P洲)等，然而这些存储器又都各自存在着各自的缺点。 基于金属氧化物的电阻存储器RRAM由于其结构简单、成分精确可控、与 逻辑工艺兼容等优点，被认为是最具潜力的下一代非挥发存储技术。然而，电阻 存储器的研发还只是处于起步阶段，对它的电学性能可靠性以及测试系统所引发 的一系列可靠性问题的研究还有待进一步地深入展开。 本文系统研究了基于CuxO薄膜的电阻存储器的电学和测试方面的可靠性问 题，并分析了这些可靠性问题的产生原因，同时提出了相应的解决方案。首先， 本文针对RRAM数据保持能力(Data Retention)的电学性能可靠性问题展开了 研究，还提出了RRAM的一种失效机理模型。接着，本文研究了RRAM电学测 试过程中SET钳制电流装置所引发的RRAM可靠性问题，并首次通过自建的钳 制电流捕捉系统观察到了SET钳制电流过冲现象。最后，对全文进行了总结论 述，并对RRAM存储器的发展作了展望。 关键词： RRAM；电阻存储器；铜氧化物；可靠性；数据保持能力；钳制电流；失效机理 中图分类号：TN40 AbstractWith Abstract With the growing popularity of portable electronic devices，people’S requirement for high-density,high-speed,low-power and low-cost nonvolatile memory is also increasing．Currently,Flash is still the mainstream of nonvolatile memory technology, accounting for about 90％of the nonvolatile memory market share，but with the continuous scaling down of semiconductor technology node，Flash is experiencing more and more bottlenecks，such as the thickness of the floating gate Can not be decreased infinitely．Moreover,_high operating voltage and slow programming speed also limit the application of Flash．This has forced people to look for more superior next—generation nonvolatile memory,such as MRAM(Magneto-resistive RAM)， FeRAM(Ferroelectric RaM)，PCM(Phase Change Memory,also known as PRAM) and SO on,but all of these memories have their own shortcoming是 Metal oxide based RRAM(Resistive RaM)is considered as the most promising candidates for next-generation nonvolatile memory because of its simple structure， accurately controlled composition,logic process compatibility and SO on．However, due to the RD of R R AM is only at an initial stage，its electrical reliability issues and the test吨system caused reliability problems have yet to be further expa