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非线性电路实验 07300720357 吕辰 07300720360 王天珑 蔡氏电路 各种分岔、混沌现象的观测和解释； 非线性负阻的伏安特性的测定； 蔡氏电路元件参数准确测量的探索； 各种分岔、混沌现象的观测 各种分岔、混沌现象的解释 非线性负阻的伏安特性的测定 方法一 方法二 通过接入电阻较大的电流 方法三 蔡氏电路元件参数准确测量的探索 RC电路测量法 改变电阻R、信号频率f时电容C1与工作电压U的关系 串联电容电路测量法 用2700Hz的正弦信号测量时，当调节C01=0.1020μF时，U1=6.36V，U2=3.18V，即U1=2U2。此时Cx1≈C01=0.1020μF。 指针万用表电阻档瞬摆测量法 数字万用表电容档测量法 数字万用表利用的是电容的充电时间通过双时基电路转换为脉冲，将脉冲积分后即得其容量。 用C×200nF档测得待测电容C1=103.8nF。 蔡氏电路元件参数准确测量的探索 RL电路测量法 在不忽略电感损耗电阻及其随电流变化情况的前提下，无法同时确定L和RL的值？ ——示波器读数UL（CH2）并非理想电感L的端压。 数字万用表电感档测量法 用L×200mH档测得待测电感L=21.2mH 用R×1?档测得电感的损耗电阻RL=2.3? RLC串联谐振电路测量法 电感L随工作电流I的变化关系 电感损耗电阻RL随工作电流I的变化关系 报告完毕！ * 非线性负阻的内部结构 实验主要内容 单周期（1555?≤1/G≤1560?） 两倍周期（1550?≤1/G≤1555?） 四倍周期（1550?≤1/G≤1555?） 八倍周期（1/G≈1550?） 阵发混沌（1545?≤1/G≤1550?， 1535?≤1/G≤1540? ） 三倍周期（1540?≤1/G≤1545?） 奇异吸引子 （1520?≤1/G≤1535?） 双吸引子（2）（1520?≤1/G≤1530?） 双吸引子（1）（1500?≤1/G≤1520?） 描述蔡氏电路运行状态的方程组： 非线性负阻伏安特性的分段函数 方法一：将非线性负阻与一个电阻箱串联，用伏安法测量其I-V特性曲线； 方法二：改接原混沌实验仪电路（接入电阻r），记录对各种混沌状态时非线性负阻的I-V特性曲线； 方法三：用函数信号发生器驱动，在不同频率下测量非线性负阻的I-V特性曲线； R Nr 从测得的非线性负阻I-V曲线以及实验中的现象观察可以知道，方法一只能测到I轴右侧部分以及左侧很小一部分，伏安特性曲线不完整。 而且由于在分段的边界处由于电阻箱调节的限制无法实现连续测量，易增大不确定度，如对于第3段取电压范围11.201~12.477V，则有以下结果：r=0.99495，u(b)=1mA，u(k)=9×10^(-5)A/V。 - 各种混沌状态对应非线性负阻的伏安特性（r=100?） 单周期→两倍周期→四倍周期 阵发混沌→三倍周期→奇异吸引子 双吸引子（2）→双吸引子（1）→ 较大的电学噪声 增大接入电阻阻值分别至330?、530?、730?、1030?、1530?，可以观察到电学噪声逐渐减小，I-V特性曲线分辨率提高，比较细锐。 但由于过大的电阻不断减小分岔、混沌现象出现的窗口大小，当超过2300?时，示波器图像完全消失。 遍历各电路工作状态并降低噪声的情况下，测量非线性负阻伏安特性选取r=330 ?为佳 不同频率时非线性负阻的伏安特性 2.50KHz →3.30KHz →8.00KHz 200KHz →400KHz →1.000Hz 测量电容C1、C2： 方法一：RC电路测量法； 方法二：串联电容电路测量法； 方法三：指针万用表电阻档瞬摆测量法； 方法四：数字万用表电容档测量法； Uc 电容的损耗电阻可以忽略不计 CH1 CH2 C0 Cx ～ 万用表两笔端接触待测电容C1的瞬间，电阻档下指针最大摆幅也在550×10K?附近，所以估算其容量数量级为0.1μF。 测量电感L和损耗电阻RL： 方法一：RL电路测量法； 方法二：数字万用表电感档测量法； 方法三：RLC串联谐振电路测量法； *