na掺杂单晶zno的光致发光性质研究材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 近年来，氧化锌(ZnO)因其独有的优越性能，和在许多领域应用的巨大潜 力而备受关注。然而，高性能又稳定可靠的P型ZnO一直没能实现，这严重阻 碍了ZnO基光电器件的发展。I族元素中的Na在ZnO中存在较浅的受主能级， 利用Na掺杂可实现P型ZnO，但其稳定性仍有待提高，其掺杂机理也有待深入 研究。本文主要用发光光谱研究Na在ZnO中的行为，为了创造有参考意义的环 境，减少背景缺陷的干扰，选用金属有机化学气相沉积(MOCvD)方法生长的 ZnO纳米棒和ZnO体单晶两种高质量ZnO进行Na掺杂，主要研究内容包括以 下两个方面： 1．通过MOCVD法成功地生长了Na掺杂的ZnO纳米棒阵列。光致发光(PL) 分析发现，不同于未掺杂的ZnO纳米棒，在Na掺杂的纳米棒中低温PL谱中主 导发光的是离化施主束缚激子(D+x)，表明Na在其中作为受主与施主发生了高 度补偿，结合XPS价带谱中观察到费米能级向价带的移动，证明了Na的受主行 为。 2．成功地对c面(0001)和a面(1120)的ZnO体单晶进行了不同能量和 剂量的Na离子注入。通过PL谱讨论了不同温度对Na注入的ZnO体单晶的结 构影响，在650℃退火后普遍发现了Na相关的中性受主束缚激子(AoX)发光 峰，证明Na此温度下最容易被激活。对Na受主参与的施主受主对(DAP)发 光的追踪测试结果表明Naz。并不稳定。之后对比了不同注入能量、不同注入剂 量和不同晶向的基底对Na受主形成的影响，发现Na掺杂主要受晶体极性调控。 关键词：氧化锌；Na掺杂；离子注入；纳米棒；体单晶；光致发光 浙江大学硕士学位论文 浙江大学硕士学位论文 AbstractAbstract Abstract Abstract Zinc oxide(ZnO)has drawn much attention the years due to its great potential for a variety of applications in many fields．However,high．quality and reproducible p-type ZnO has not been obtained yet，seriously hampering the development of ZnO based optoelectronic devices．Group I elements such Na have been reported as possible shallow acceptors．We mainly explore the role of Na played in ZnO by photoluminescence．For clear environment，we choose ZnO nanorods grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)and ZnO single crystal grown by hydrothermal method the substrates．The main work could be summarized following： 1．We demonstrate the successful growth of Na-doped ZnO nanorods array by MOCVD．Unlike the undoped ZnO nanorods，the low temperature PL spectrum of Na-doped sample is dominated by excitons bound to ionized donors(D+X)， suggesting the formation of Na acceptors and high compensation between the donors and acceptors．The formation of Na acceptors is supported by the shift of Fermi level toward the valence band． 2．Na+ion—implanted c-plane(000 1)and a-plane(1 1 20)ZnO single crystal was prepared with different implantation energies and dose．After annealing at 650 oC，the low temperature PL spectrum is dominated by excitons bou