基于反应动力学的GaNLED参数退化模型的研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 21 (2013) 218503 基于反应动力学的GaN LED 参数退化模型的研究* † 郭春生 张燕峰 万宁 李睿 朱慧 冯士维 ( 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100124 ) ( 2013 年6 月21 日收到; 2013 年7 月17 日收到修改稿) 加速实验中, 参数退化模型描述了参数的退化规律, 参数退化规律对应于器件退化机理, 而退化机理又对应于 内部的物理化学反应. 因此, 本文基于反应动力学中物理化学反应的温度效应速率模型及反应量浓度随时间的变化 规律, 研究并建立了GaN LED 参数退化模型. 本模型尝试从物理机理上解释参数退化过程中的退化规律, 包括单调 上升或单调下降退化规律、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化规律, 解决了实验后拟合方法不能建立非 单调退化模型的问题. 然后对GaN LED 进行加速实验, 确定模型参数. 同时对GaN LED 的退化规律进行分解, 并且 量化了GaN LED 两种退化规律的退化比例及时间常数. 关键词: 参数退化模型, 反应动力学, 加速实验, GaN LED PACS: 85.60.Jb, 73.61.Ey, 05.20.Dd, 05.70.Ce DOI: 10.7498/aps.62.218503 验后拟合的方法比较了线性模型与次线性模型, 得 1 引言 出激光器的阈值电流随老化时间的退化规律更符 8 合次线性模型. 耿新明等 在研究真空荧光显示 GaN LED 器件由于其高效、节能、环保等方 屏(VFD) 时采用最小二乘法拟合VFD 退化数据, 1−3 9 面的优点, 已经被广泛的应用于各领域 . 对于 从而估算出VFD 在正常应力下的寿命. Wang 等 半导体器件, 在使用前需要评估其可靠性水平, 而 在假设器件退化单一的前提下利用ARHP 模型对 发光二极管的可靠性评估一般是在加速寿命实验 SLD 器件的退化数据进行拟合, 外推器件长期退化 4 中检测其电学参数的变化 . 随着技术和工艺水平 10 数据. Fan 等 研究高功率白光LED 的寿命时, 的不断发展, GaN LED 器件的可靠性逐渐提高. 加 对退化数据进行非线性二次拟合, 发现了器件的退 速寿命实验逐渐不能完全快速、准确评价高寿命 化量与时间呈指数关系, 评价器件的可靠性. Zhou 和高可靠性GaN LED 器件的可靠性水平. 为了缩 11 等 研究了电解电容的退化过程, 通过回归分析, 短评价时间, 提高可靠性评价的准确性, 参数退化 得到了电解电容在20 ◦C 下的反应速率随着时间呈 56 模型开始应用到器件的可靠性评价中 . 参数退