单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究材料加工工程专业论文.docxVIP

山东大学硕士学位论文目录 山东大学硕士学位论文 目录 摘要 I ABSTRACT ．．III 第一章绪论 l 1．1立题背景及意义 一l 1．2硅单晶中的缺陷及硅片的热处理工艺 2 1．2．1硅单晶中的主要缺陷 一2 1．2．2单晶硅片的热处理工艺 一4 1．3单晶硅片热处理的研究进展 ．8 1．3．1实验研究 8 1．3．2计算机数值模拟研究 l O 1．4本文的技术路线和研究内容 ll 1．4．1技术路线 ．1 l 1．4．2研究内容 ．11 第二章相场理论与相场模型 l 3 2．1引言 ．13 2．2相变理论 l3 2．2．1相变 ．1 3 2．2．2朗道(Landau)二级相变理论 1 3 2．2．3形核理论和固态扩散理论 14 2．3相场法基本理论 15 2．3．1相场法基本概念 l 5 2．3．2相界面 ．15 2．3．3系统自由能方程 16 2．3．4控制方程 ．1 7 2．4相场法模拟流程 l 8 2．4．1相场模型构建 19 2．4．2数值解析 ．1 9 万方数据 目录2．4．3模拟区域及网格划分 目录 2．4．3模拟区域及网格划分 20 2．4．4离散化处理 ．20 2．4．5边界条件 ．22 2．4．6模拟流程图 ．22 2．5模拟假设 ．23 2．5．1材料假设 ．23 2．5．2模拟假设 ．24 2．6本章小结 ．24 第三章氧聚集体低温退火阶段演变的相场模型 25 3．1引言 ．25 3．2氧聚集体演变相场模型的构建 ．．25 3．2．1场变量的引入 25 3．2．2系统自由能方程 27 3．2．3控制方程及无量纲处理 28 3．2．4模拟流程及算法 3 l 3．3氧聚集体演变相场模型的检验 一32 3．3．1模拟环境的设定 32 3．3．2初始模拟条件的选取 33 3．3．3模拟参数的确定 33 3．4相场模拟结果及分析 34 3．4．1氧聚集体演变过程的模拟结果及分析 ．．34 3．4．2不同初始空位浓度下氧聚集体演变的模拟结果及分析 ．35 3．4．3模拟结果的讨论 38 3．4．4实验检验 ．39 3．5本章小结 40 第四章初始空位浓度和退火温度对硅片中氧聚集体影响的相场模拟 ．41 4．1引言 ．4l 4．2退火温度对硅片中氧聚集体演变影响的相场模拟 ．4l 4．2．1模拟条件 ．41 万方数据 山东大学硕士学位论文4．2．2模拟结果 山东大学硕士学位论文 4．2．2模拟结果 ．4 l 4．2．3模拟结果的讨论与分析 43 4．3响应面优化法 44 4．3．1优化算法 ．44 4．3．2响应面优化法(Response Surface Method) 45 4．4初始空位浓度和退火温度对硅片中氧聚集体演变的综合影响 47 4．4．1模拟方案 ．47 4．4．2模拟结果的分析与讨论 49 4．5本章小结 54 第五章 氧沉淀高温退火阶段演变的相场模型 ．57 5．1引言 ．57 5．2氧沉淀演变相场模型的构建 57 5．2．1初始模拟变量及条件 57 5．2．2系统自由能方程 58 5．2．3控制方程及无量纲处理 60 5．2．4模拟流程及算法 63 5．3氧沉淀演变相场模型的检验 63 5．3．1模拟环境的设定 63 5．3．2初始模拟条件的选取 64 5．3．3模拟参数的设定 64 5．3．4 y值的选取 ．65 5．4相场模拟结果及分析 67 5．4．1氧沉淀演变过程的模拟结果及分析 ．．67 5．4．2不同退火温度下氧沉淀演变的模拟结果及分析 ．68 5．4．3模拟结果的讨论与检验 7l 5．5本章小结 7l 第六章结论与展望 ．73 6．1主要研究工作和结论 73 6．2进一步研究工作的建议 74 万方数据 目录参考文献 目录 参考文献 77 致谢 ．83 攻读硕士学位期间完成的论文 一85 万方数据 山东大学硕士学位论文CoNTENTS 山东大学硕士学位论文 CoNTENTS ABSTRACT(In Chinese) ．．I ABSTRACT(In English) III Chapter 1 Introduction． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． 1 1．1 Background and significance ofthe present project． ． ．． ． ． ． 1 1．2 Defects and heat treatment technics of single crystal silicon waf．er 2 1．2．1 Main defects in single crystal silicon waf．er 。2 1．2．2 Heat tre