tiznsno非晶氧化物半导体薄膜制备及应用研究材料科学与工程专业论文.docxVIP

!i圣坠苎坠Q韭晶氢丝堑坐昱堡整送剑叠区应届班窒⑧ !i圣坠苎坠Q韭晶氢丝堑坐昱堡整送剑叠区应届班窒 ⑧ 论文作者签名：指导教师签名：——毒乞星二址孙放盎 论文评阅人l： 评阅人2： 评阅人3： 评阅人4： 评阅人5： 答辩委员会主席： 立重2氢煎．』逝江越赶越釜包 委员1： 盆蒌盥笾J洳丝趟捌斟牲 委员2： 王蟊聋，』趱』溯江苤置越挝鳢直 委员3： 蠢础f邀f逝丛盟幽盥 委员4： 童鳗焦』咝-』逝渔趟越蛰越。 委员5： 万方数据 Preparation Preparation and applicationsof TiZnSn0 amorphous ●___________一I I_________________________一 oxide semiconductor thin films ⑧ Author’s signature．．j≥—墼虹 Supervisor’S signature： External Reviewers： Examining Committee Chairperson： Examining Committee Members： Date of。ml defence： A．叫厶!立z当也 万方数据 万方数据 万方数据 浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果，也不包含为获得浙j江大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一 同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名：葫卜汝奎 签字目期： 山15年弓月 厂7日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解浙江大学有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文 的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权浙江大学可以将学位论文的全部或 部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、 汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：弓扒疳杰 锄鲐澎司 签字曰期： 抽J侔弓月J7日 签字日期：护67年 乡月，7日 万方数据 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 电子产品的迅速更新换代对平板显示提出了大尺寸、高分辨、可弯曲等技术 发展要求，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)平板显示技术在这方面显示巨大的应用 潜力。非晶InGaZnO(a-IGZO)作为一个经典体系被广泛研究并且己被用于产业 化生产，但是In、Ga元素为稀有金属元素，储量少、价格高。ZnSnO(ZTO)作 为a-IGZO的替代体系表现出优异的电学性能，但存在漏电流较大、稳定性较差 等问题。本文掺入Ti作为稳定剂制备TiZnSnO(TZTO)薄膜，研究Ti含量对薄 膜性质及器件性能的影响规律，主要包括如下内容： 1．采用射频磁控溅射方法室温条件下制备不同Ti含量的TZTO非晶氧化物 半导体薄膜，结果显示Ti含量的不断增大对薄膜的非晶结构、光学性能影响不 大，而薄膜中氧空位浓度先降低后升高，表明Ti可以起到载流子抑制剂的作用， 但同时要考虑薄膜质量对载流子浓度的影响。 2．将TZTO薄膜作为有源层制备TFT器件，结果显示Ti含量的变化会对器 件电学性能产生规律性影响。TZTO(0．02)一TFT器件综合电学性能最优，开关电 流比为5．75x106，载流子饱和迁移率岫。为1．63 cm2V。1S～，亚闽值摆幅SS值为 1．07V／decade。同时，Ti的掺入可以作为稳定剂改善器件的栅极偏压稳定性。 3．采用射频磁控溅射方法制备TZTO／Si异质结，使用XPS成功测定并得到 异质结能带结构图。 关键词：磁控溅射，TiZnSnO，非晶氧化物，薄膜晶体管 浙江大学硕士学位论文 浙江大学硕士学位论文 H AbstractAbstract Abstract Abstract The flat displays with characteristics of large size，high resolution and flexibility are expected to meet updating rapidly technological demands of consumer electronic products．While thin film transistors(TrTs)based on amorphous oxide semico