GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制ViewTableofContentshttp.PDFVIP

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2019-02-06 发布于天津
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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制ViewTableofContentshttp

GGaaNN横横向向外外延延中中晶晶面面倾倾斜斜的的形形成成机机制制冯淦, 郑新和, 朱建军, 沈晓明, 张顺, 赵德刚, 孙元平, 张泽洪, 王玉田, 杨辉 and 梁骏吾 Citation: 中国科学A辑: 数学 3322, 737 (2002); doi: 10.1360/za2002-32-8-737 View online: /doi/10.1360/za2002-32-8-737 View Table of Contents: /publisher/scp/j ournal/Sci Sin Math A2/32/8 Published by the 《中国科学》杂志社 AArrttiicclleess yyoouu mmaayy bbee iinntteerreesstteedd iinn 高温层的横向生长对异质外延GaN 结构性质的影响 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 3399, 124 (2009); 薄膜外延生长及其岛核形成的计算机模拟 Science in China Series G-Physics, Mechanics Astronomy (in Chinese)33 44, 131 (2004); 倾斜多针状电极所形成电场的边界元数值计算方法 Science in China Series G-Physics, Mechanics Astronomy (in Chinese)33 99, 69 (2009); 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 Science in China Series A-Mathematics (in Chinese)3 311, 562 (2001); 纵、横、斜——倾斜与振荡法多路归并排序 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 2266, 549 (1996); ( A ) 32 8 SCIENCE IN CHINA ( Series A ) 2002 8 GaN * ** ( , , 100083) X (DC-XRD)(0001) GaN . GaN SiN . x SiN , XRD GaN(0002)ω x . , , , SiN , , x . GaN : GaN ; GaN 90o . GaN X , GaN , GaN [1, 2]. , GaN (Al O , 16; Si,