非晶硅薄膜太阳能电池材料pecvd关键技术研究流体机械及工程专业论文.docxVIP

非晶硅薄膜太阳能电池材料PECVD关键技术研究 非晶硅薄膜太阳能电池材料PECVD关键技术研究 摘 要 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备非晶硅太阳能电池aoSi：H薄膜 材料应用最广泛的技术。非晶硅材料在可见光内有较高的吸收系数，原材料来 源广泛，可实现低成本的大面积薄膜沉积，使之具有有广阔的应用前景。然而 沉积高质量的非晶硅薄膜材料对PECVD设备技术性能要求很高，其中关键技 术包括系统的反应室内电场、温度场、气流场以及辅助磁场的分布。 本文采用计算机数值模拟的方法对PECVD的关键技术逐项做了分析，首 先建立平板电极模型，研究了电源频率，接入点及电极尺寸对电场分布的影响； 然后对整体加热和基片底座加热两种温度场及“极板喷淋”和“穿堂风”两种 进气方式的气流分布模拟计算； 结果表明射频电源频率越高，电极面积越大电场非均匀性也越大； 整体加热基片表面温度很均匀，基片座加热方式在边缘处温度有所下降。 “极板喷淋”布气方式，中心处压力高，边缘处压力低；气体流速则是中心 处流速小，边缘流速大。随着进气流量的增加基片表面压力分布和气流速度的 不均匀性呈线性增加；“穿堂风”进气方式，电极板区间压力梯度从进气口指向 出气口线性减小，气流速度整体较均匀波动小。 对辅助PECVD的均匀磁场和磁镜场模拟分析，优化设计了螺线管的缠绕 方式，得到了均匀磁场。并讨论了磁镜场磁镜比的调节方式，获得了这两种磁 场分布规律。 通过各场量分布特性的研究，提出PECVD主要设计方案：室壁整体加热， 选用13．56MHz射频电源，加装无侧边屏蔽罩的极板喷淋进气方式，极板间距 40mm左右，能够获得较好的综合性能参数。 其研究结果为制备a．Si：H薄膜材料的PECVD技术应用提供了理论依据。 关键词：PECVD a．Si：H薄膜 电场 热流场 辅助磁场 The The Study oli PECVD key technologies of amorphous silicon thin film solar cell Abstract Plasma．Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)is the most widely used technology to preparation of aoSi：H amorphous thin·film solar cell’S thin film． Because of high visible light absorption coefficient，Raw material origin is widespread，and large area thin film deposition with low cost enables the amorphous thin．film solar cell tO have the broad application prospect．Then it requires high technical performance to PECVD depositing the high grade amorphous silicon membranous material．And the key technologies in system’S reaction chamber include electric field，temperature field，flow field and the auxiliary magnetic field distribution． This paper used the computer numerical simulation method to analysis the items to the PECVD key technologies．First，establish plate electrode model，Study the influence of power frequency，feeding point and electrode size．Then whole heating and substrateholder heating styles two kind of temperature fields were Simulation calculation，as well as‘‘electrode spraying’’and‘‘cross-ventilation’’two kinds of inlet gas distribution mode． The results show that the higher frequency，the larger