低温液相法制备三元硫属半导体薄膜的研究材料学专业论文.docxVIP

中文摘要中文摘要 中文摘要 中文摘要 以纳米多孔Ti02作光电极，cuhs2或CulnSe2等无机纳米粒子作吸收层的ETA 太阳能电池由于成本低廉，是光伏新技术发展的重要方向。采用化学浴、SILAR、 电沉积法等低温液相法制备上述硫化物具有低成本、绿色无污染、工艺温和的优 点。本文以硫属半导体薄膜在ETA电池的应用为背景，综述了太阳能电池的发展 和种类、硫属化合物的性能及应用和三元硫属半导体薄膜的制备工艺。课题研究 了化学浴，SILAR，电沉积法制备CuIIIS2、CuInSe2薄膜，通过XRD、SEM、XPS、 霍尔测量系统等的测试分析，研究了上述制备方法和工艺过程对薄膜结构与性能 的影响，对不同方法下的成膜反应进行了解释。 本文采用化学浴法，以CuCl2和mcl3为反应物，三乙醇胺为络合剂，硫脲 (CS(NH2)2)为硫源，沉积时间为8～12h，经500℃热处理1h可制备致密均匀、 组成接近化学计量的单相黄铜矿CuInS2薄膜，薄膜吸收系数大于104crll～，禁带 宽度E窖为1．42eV。沉积时间低于12h时，薄膜生长速度稳定，约为15nm／h，而 大于12h后薄膜生长变慢，粗糙度增大。 连续离子吸附反应法(SILAR)采用独立的水溶性离子前驱体，按照非均相 生长机理沉积成膜，原料浪费少、制备条件温和，污染小，但尚未有SILAR法制 备三元化合物的报导。本文首次采用SILAR法，分别以混合CuCl2、InCl3前驱 体为Cu、h源，Na2S、Na2ScS03为硫源和硒源制各出黄铜矿结构、沿(112) 面择优取向的CuInS2和CuInSe2薄膜，考察了多孔Ti02基底上SILAR法CuInS2 的沉积情况。实验结果表明：制各接近化学计量CulnS2、CulnSc2薄膜时溶液中 [Cu]／[In]比分别为1．25和1．5，适当提高热处理温度矛哥延长热处理时间均有利 于改善薄膜的结晶程度和表面均匀性，制备CuInS2、CuInSc2较适宜的热处理温 度分别是450℃和400℃，随热处理温度升高，薄膜电阻率下降，光吸收系数、 载流子浓度、迁移率增加，CuInS2禁带宽度从1．34 eV增至1．48 eV，CuInSc2 禁带宽度Eg的值从0．94eV升高到0．98eV。由于纳米多孔材料的表面效应，在 多孔Ti02基底上制备的CuInS2薄膜结合更加紧密，吸收系数明显增大、结晶度 提高，禁带宽度Eg在1．37～1．44 eV之间，说明Ti02基底上沉积CulnS2后， 对可见光具有很好的吸收特性。 电化学沉积法在太阳能电池薄膜制备领域一直得到广泛关注。本文采用一步 恒电位法，以CuS04、Se02、Inz(S04)3、柠檬酸组成沉积液，首次研究了多孔 Ti02基底上CulnSc2薄膜的沉积情况。实验表明：与／TO基底上沉积相比，多孔 Ti02基底上CuInSc2沉积电位从一750mY负移到．1250mV左右，XRD结果显示 ．1100mv是适宜的沉积电位。热处理后，薄膜组成更接近化学计量，结晶度改善， 中文摘要光吸收系数大幅度提高，而禁带宽度有所下降，这可能与CuInSc2和Ti02的界 中文摘要 光吸收系数大幅度提高，而禁带宽度有所下降，这可能与CuInSc2和Ti02的界 面反应有关。 关键词： 三元硫属化合物化学浴法连续离子吸附与反应法 电沉积法 ABSTRA(了ABSTRACT ABSTRA(了 ABSTRACT ETA solar cell with chalcogenide semiconductors as extremely thin absorber layer is one of the promising devices in solar energy．There has been considerable interest for developing Cu]．uS2 and CuInSe2 thin film using low temperature chemical methods such as CBD，SILAR and electro-deposition．Advantage of these processes is that they are pollution free，low cost and soft solution processing．This dissertation begins with an overview of solar cells and sulphide thin fill．Based on the background，the preparation of CuInS2 and CnInSe2 by such methods were researched