低温烧结多层片式zno压敏电阻器的研究材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 本文对低温烧结多层片式znO压敏电阻器(znO MuItiplayer chip Vari stor)的瓷料组成、电极材料、制造工艺及其性能进行了研究。 利用化学共沉淀法制备复合粉体。以氨水及碳酸氢铵溶液为沉淀剂， 使得溶胶的聚沉能力降低，有效防止沉淀颗粒过分长大。严格控制PH在 10士0．2范围内，得到高沉淀率共沉淀物。沉淀物中加入正戊醇进行共沸 蒸馏，使粉体颗粒表面的羟基被正戊醇基取代，有效地防止其在随后胶 体干燥过程的团聚和煅烧过程的结团。利用此方法制备的粉体颡粒大小 均匀，粒径约为60nm。可在880℃下烧结制得性能优良的压敏电阻器。 掺入适量的Sb203、Ti02、B 203、Si02及其它微量添加剂，摒弃铅、 镉等有害物质，可在950℃低温烧结出性能优良的圆片znO压敏电阻器。 掺入适量的Ti02使烧结过程中在较低温度下形成液相，促进传质和离子 扩散。同时掺入适量的B203、SiO：等氧化物，不仅可以进一步降低烧结 温度，同时也改善电压非线性，降低漏电流。采用流延成型后，由于有 效层的瓷体厚度比较薄，相同配方的znO MLCV可在更低的温度8 80℃ 烧成。 本研究在880℃烧结而得的zn0 MLCV无需热处理。瓷体中富Bi相主 要以Y．Bi203相形式存在，及B203、Si02的掺入均改善了低温烧成的ZnO MLcv的长期电负荷作用下工作的稳定性，而无需热处理。 以高银低钯材料为内电极，并在瓷料中掺入微量硝酸铝，可于880 ℃共烧制备出性能优良的znO MLcV，从而显著地降低生产成本。内电 极与瓷料共烧结过程中，Ag离子扩散进入znO晶格，形成填隙式固溶体， Ag离子起受主态作用，受主态与部分施主态的复合，降低了有效施主浓 度。且随内电极含Ag量增加，晶粒电阻显著增大。瓷料中掺入微量硝酸 铝，铝离子进入ZnO晶格起施主态作用，增大了有效施主浓度，降低晶 粒电阻率，弥补Ag离子扩散造成的性能劣化。 在流延浆料的制备过程中，磷酸脂在极性溶液中表现为阴离子型表 面活性剂，兼有离子排斥和空间位阻两种分散作用，其分散效果优于三 甘油酸甘油酯，对于Zn0压敏复合粉体具有较强的分散作用。 由于压敏电阻器用电极浆料要求近似欧姆接触，因此不宜通过采用 添加陶瓷粉来改善烧成的不匹配。采用低温烧结配方并掺入适量胶粘剂 的工艺技术，可改善共烧过程zn0压敏陶瓷层与内电极层的在烧成不匹 配，制得性能优良的zn0 MLCV。 华南理工大学博士学位论文低温烧成的zn0 华南理工大学博士学位论文 低温烧成的zn0 MLCV的表观介电常数为470。在一55℃～125℃温度 范围内，电容量的变化率小于士l 5％；电容量频率特性与传统高温烧结的 圆片引线式znO压敏电阻器的电容量频率特性类似。 低温烧结的ZnO MLCV具有相当高的电性能可靠性。在．55℃～l 25 ℃温度范围内，压敏电压温度系数远小于O．1％／℃：具有很好的高温负荷 稳定性和抗湿热性、很强的抗热冲击能力。经过静电放电(ESD)测试， 低温烧结ZnO MLCV的压敏电压变化率小于±l O％，可用于ESD的防护。 本研究的ZnO MLCV产品已批量生产，并于2004年底通过验收。 关键词：zno压敏电阻器；低温烧结；多层片式： Ag含量；电性能 II AbstractCeramic Abstract Ceramic powdefs compositions， eIectrode materiais， manufacture processes and properties of low firing multilayer chip Zn0 varistors (MLCVs)have been studied． The Varistor muItiplex powders，which particles sizes were about 60nm and eVent， were prepared by chemical eo—precipitation method． The precipitant was the mix of ammonia and ammOnium acid carbonate s01ution。 which would feduce the coaguIation ability of the sol and prevent the sizes of deposit particles from growing excessiveIy． The high depo sit rate co·precipitates were prepared to keep the PH value of the solution at the r