单颗磨粒磨削硅片的试验研究机械制造及其自动化专业论文.docxVIP

大连理工大学硕士学位论文摘 大连理工大学硕士学位论文 摘 要 单晶硅片是制造集成电路必需的衬底材料，为了适应Ic$,J造的要求，对单晶硅片的 加工精度和表面质量要求越来越高。延性域磨削是近十几年发展起来的新技术，硅片的 延性域磨削被认为是硅片平整化和硅片薄化最有前途的加工技术，但由于其前提条件是 磨粒的切削深度小于临界切削深度，因此实现起来比较困难。目前，人们对硅片磨削过 程中单晶硅的脆性一延性转变的特征和条件、临界切削深度、延性域磨削的材料去除机 理以及表面形成机理的研究非常有限，这严重阻碍了硅片延性域磨削技术的进一步发展 和推广应用。 单颗磨粒磨削作为磨削的一种简化模式，已经成为研究延性域磨削机理的一种重要 方法。本文针对现有单颗磨粒磨削方法的缺点，结合本实验室现有条件设计了低速划痕 试验方案，并提出了一个新的单颗磨粒磨削试验方案。通过分析对比各种硅片加工表面 层损伤检测方法的优缺点及其可行性，结合硅片加工表面层损伤形式和大量试验，确定 了硅片延性域磨削实现的判定方法：采用SEM对硅片磨削表面形貌和表面缺陷进行检 测；提出了一种改进的角度抛光法，可以准确的测量硅片由磨削引起的亚表面裂纹，从 而判断是否实现了延性域磨削；采用基于扫描自光干涉原理的轮廓仪法，能够检测到硅 片的亚表面裂纹是否存在的信息，进而根据此信息可以定性地判断是否实现了延性域磨 削；采用TEM和显微R．a]n-tan光谱分析法检测硅片磨削表面层损伤的微观结构。通过单颗 金刚石磨削试验，研究了金刚石磨粒切削单晶硅时的脆性一延性转变过程，分析了磨粒 刃尖形状、晶体方向对单晶硅脆、延性转变的影响；对单晶硅的临界切削深度进行了研 究，褥出了单晶硅临界切削深度。通过自旋转磨削试验彳导出了3000#砂轮磨削硅片时磨 粒的临界切削深度。 关键词：单晶硅片；延性域磨削；脆性一延性转变；牯界切削深度；裂纹 单颗磨粒磨削硅片的试验研究Experimental 单颗磨粒磨削硅片的试验研究 Experimental study on Single Diamond Grain Grinding of Silicon Wafers Abstraet Single crystal．silicon wafers are the dominate substrates used for semiconductor manufacturing．There arc increasingly slringent working accuracy and sllrfacb．e quality requirements of silicon wafers in order to meet the IC manufacturing demands．Ductile mode 掣-in,ling is a new technology in rcc,cnt years．and it is considered as the most promising technique of flattening and thinning silicon wafers．However,it is comparatively difficult to achieve duetile mode粤incting,because its precondition is that the grain depth of cut should below the critical depth of cut．At present，the character and condition of brittle to ductile wansition of single crystal silicon,the critical depth of cut,material removal mechanism and SBIflIce formation mechanism of ductile mode grinding of silicon wafers．as well as the bounaary conditions allowing a ductile grinding process afe only insufficiently clarified, which limit the application of蓼inding in silicon wafers machining． As a simplified mode，single diamond grain掣inding has already been One of the most important methods in studying ductile mode