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磁性异质结构的自旋输运特性研究凝聚态物理专业论文
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变弱。另外AI插入层对自旋阀的磁电阻有重要影响,磁电阻值随着AI厚度
按照指数减小,特征长度大约为0.26rim,相当于一层A】原子厚度。在Cu(2nm)
/Al(2nm)的自旋阀中,首次发现了当测量磁场平行于测量电流时巨磁电阻和 各向异性磁电阻共存的现象。在用Al完全取代Cu的自旋阀结构的样品中, 只观察到各向异性磁电阻的存在,没有观察到巨磁电阻信号。这}兑明中介层 材料的结构和特性可能会对界面处的磁结构产生重大影响,而导致其磁性相 关散射机制的改变,引起由巨磁电阻向各向异性磁电阻的转变。由于条件所 限,对Al为中介层的三明治结构中界面磁结构和输运特性还需要从实验和理 论上作进一步的研究。+ 2.首次利用磁控溅射法和光刻工艺制备了Co/ZnO/FeNi、
co/znO/FeN汜nO/Co多层膜异质结,测量了异质结的磁特性、电阻一温度特
/
性和电流垂直膜面的磁电阻特性。/磁性测量发现co/zn0,FeNi、
Co/ZnO/FeNi/ZnO/Co多层膜样品都具有j}常大的饱和场,这可能是因为ZnO 层和金属层的热膨胀系数存在很大的惹异,薄膜制备过程中产生了很大的内 应力,使得磁性金属层不容易发生翻转。也可能是因为ZnO半导体和磁性金 属层的界面处发生了混合,生成了高饱和场的新材料造成的,具体原因有待 于进一步研究。电阻一温度测量发现,样品都表现出半导体输运特性,即电 阻随着温度降低而增大,这说明在较薄的厚度下ZnO就能够生成致密的薄 膜。磁电阻测量得到了高达5%磁电阻,比以往报道的礞性金属/半导体多层 膜的磁电阻大的多,这说明白旋电子在ZnO中具有很长的自旋扩散长度,这 一特性有可能使ZnO材料成为一种重要的自旋电子材料。另外磁电阻随着测 量电流的增加没有明显变化,这说明样品的磁电阻不是隧道效应引起的,而 是自旋电子注入ZnO层产生的。需要指出的是在制各样品过程中没有外加诱
导磁场,样品也没有进行后期退火处理。如果优化样品制备条件,有可能得
、
到更好的结果。这方面的工作正在进行之中。)
3.对金属三明治结构中自旋极化电子输运进行了研究。利用光刻技术和剥离
II
摘
摘 要
II
工艺制备了Co/Cu/Fe、Co/Cu/FeNi和Co/Pd/FeNi金属三明治结样品。磁性测 量结果表明样品都表现出良好的自旋阀特性。f对自旋电流注入产生的双极输 出信号进行了测量,样品都表现出典型的双极输出特性,输出电压在“V量级, 这个结果比Johnson等人的结果大2~3个数量级,其产生原因可能是:我们 制备的三明治异质结的体积比Johnson的样品小的多,中介层厚度也比其样 品薄,另外这里采用的注入电流比Johnson测量的电流要大的多。对Co/Cu/Fe 样品,还测量了输出电压随着磁场与样品表面夹角的关系,当外磁场从平行 于平面方向向法线转动时,随着离开平面的偏角的增大,反转峰磁场随之增
大,其有效平面内磁场基本上遵循余弦规则。测量了Co/Cu/FeNi和 Co/Pd/FeNi金属三明治结样品在不同注入电流下样品的输出电压,发现在电 流比较小的区域,输出电压基本上随着注入电流线性变化,当电流比较大时
偏离线性。这可能是因为电流较大时,样品本身发热比较厉害,热量不能及
时传出,因此样品温度升高,使得非磁性层中电子的自旋扩散长度减小造成
0 0丸
4.对磁隧道结的制备工艺和流程进行了研究,利用磁控溅射设备和光刻技术,
采用金属等离子体氧化法成功制备了磁隧道结。f并对磁隧道结输运特性进行
\
了研究。在Al:如厚度为4nm的样品中测得了11%的关于零场对称的磁电阻, 样品的磁电阻随着外加电压升高而降低,绝缘层较薄时随电压的变化更明显。 另外还测量了样品的I—V特性曲线,曲线表现出明显的非线性。隧道结的电 阻随着温度降低而增加,表现出典型的磁道结特性。这说明制备的磁隧道结 是成功的,如果在下一步的工作中对工艺流程进行优化,有望得到更好的结
果。≥
关键词: 自旋电子学,自旋注~磁电阻,、磁性异质结/
/\
fff
ABSTRACTThe
ABSTRACT
The electron is a quantum mechanical object which,apart from charge,also has a spin.Devices and intergrated circuits based on the electronic charges and their transportation have been widely used in the world.Microelctronics has achieved great success since the last half of 20m centur
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