磁性异质结构的自旋输运特性研究凝聚态物理专业论文.docxVIP

{搿 {搿 璺 变弱。另外AI插入层对自旋阀的磁电阻有重要影响，磁电阻值随着AI厚度 按照指数减小，特征长度大约为0．26rim，相当于一层A】原子厚度。在Cu(2nm) ／Al(2nm)的自旋阀中，首次发现了当测量磁场平行于测量电流时巨磁电阻和 各向异性磁电阻共存的现象。在用Al完全取代Cu的自旋阀结构的样品中， 只观察到各向异性磁电阻的存在，没有观察到巨磁电阻信号。这}兑明中介层 材料的结构和特性可能会对界面处的磁结构产生重大影响，而导致其磁性相 关散射机制的改变，引起由巨磁电阻向各向异性磁电阻的转变。由于条件所 限，对Al为中介层的三明治结构中界面磁结构和输运特性还需要从实验和理 论上作进一步的研究。+ 2．首次利用磁控溅射法和光刻工艺制备了Co／ZnO／FeNi、 co／znO／FeN汜nO／Co多层膜异质结，测量了异质结的磁特性、电阻一温度特 ／ 性和电流垂直膜面的磁电阻特性。／磁性测量发现co／zn0，FeNi、 Co／ZnO／FeNi／ZnO／Co多层膜样品都具有j}常大的饱和场，这可能是因为ZnO 层和金属层的热膨胀系数存在很大的惹异，薄膜制备过程中产生了很大的内 应力，使得磁性金属层不容易发生翻转。也可能是因为ZnO半导体和磁性金 属层的界面处发生了混合，生成了高饱和场的新材料造成的，具体原因有待 于进一步研究。电阻一温度测量发现，样品都表现出半导体输运特性，即