soi基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

SiGe／S01弛豫研究及SSOI材料制备SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备 SiGe／S01弛豫研究及SSOI材料制备 SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备 金tat：(微电子学与固体电子学) 指导老师：王曦 研究员 摘要 应变硅(Strained Silicon)材料是一种新型的电子材料，主要是利用异质外延 技术，在弛豫的锗硅(Relaxed SiOe)合金衬底上制备得到一层处于双向压应力状 态下的硅层。由于应变硅层中硅的能带在应力状态下由六个能谷分裂为4个高能能 谷和2个低能能谷，因而能够同时提高空穴和电子的迁移率，用作器件的沟遴材料 能够兼顾器件的高速度和低功耗的要求。并且应变硅材料和现有的硅集成电路的工 艺完全兼容，对超大规模集成电路的发展有着相当重要的意义。 通常制备应变硅材料，需要高度弛豫、位错密度较低的SiGe合金作为衬底， 而SiGe衬底带来的合金散射将会降低载流子的传输效率，同时对于光刻工艺而吉‘， 几微米厚的SiGe衬底也是难以处理的。为了消除SiGe层，人们将已经成熟的绝缘 体上硅(SOI)技术和应变硅技术相结合，而形成新的绝缘体上的应变硅(Strained SilicononInsulator，SSOI)技术，不但可以降低SiGe衬底带来的合金散射，还可 以解决由于SiGe衬底厚度所带来的光刻方面的问题，同时还充分兼备了SOl技术 的优点，因而SSOI技术是目前国际半导体领域研究的热点和重点之一。 现有报道的制备SSOI的方法是采用智能剥离(Smart Cut)技术。将在弛豫的 SiGe衬底上外延的应变硅层，与表面氧化的硅片键合在一起，然后通过离子注入的 方法将SiGe从应变硅层剥离，从而制备得到SSOI结构。这种方法目前还在实验室 阶段，无法进行批量生产。 在研究应变SiGe合金的弛豫现象时，人们发现，当SiGe外延在超薄的SOI 衬底上时，不但SiGe合金的弛豫度得到提高，而且由于弛豫而带来的位错密度也 得到了大幅度的下降。进一步的研究还发现SOI顶层硅层在siGe合金弛豫以后， 具有一定程度的应变存在。在本文工作中，我们深入探讨了外延在超薄的SOI衬底 上的应变SiGe合金的弛豫机理。结果表明在SiGe薄膜和SOl衬底之间存在着一个 中固科学院上海撒系统与信息技术研究所博士学位论文 应变传递和分配的过程。具体的应变传递和分配的比例取决于SiGe薄膜和SOI衬 应变传递和分配的过程。具体的应变传递和分配的比例取决于SiGe薄膜和SOI衬 底的相对厚度以及SiGe合金中Ge的含量。SiGe薄膜中的应变弛豫是通过应变分 配和传递实现的，而SOl层中的应变弛豫主要通过两个过程进行：(1)通常的位错 形核和扩展来弛豫应变；(2)在Si02层上滑移来消除分配而来的应变。但是由于 SO／顶层硅和Si02埋层之间界面结合的比较牢固，单纯的退火并不能够促使SOI 顶层硅层在Si02层上滑移以释放传递到顶层硅层的应变，而只能通过位错的产生和 扩展来弛豫SOI顶层硅层中的应变。但如果通过有效的辅助手段，弱化SOI顶层硅 和Si02埋层之间的界面作用，在从SiGe薄膜传递来的应变的推动下，顶层硅层就 能够在Si02层上滑移来弛豫其中的应变。同时，滑移过程又将在SOI层中产生新 的应变。当去除SiGe薄膜以后，SOI顶层硅层中由于滑移而产生的应变将会部分保 留下来，形成新的应变层，即形成了SSOI结构。 在本论文工作中。我们先在超薄的(50nm)SOI衬底上外延一层应变的SiGe 薄膜，然后将N+离子注入到SOl中的Si／Si02界面处，弱化Si／Si02界面结合。在随 后的退火过程中，SiGe薄膜的应变传递到SOI顶层硅层中，并促使SOl项层硅层 在Si02上滑移，从而使SOI顶层硅层具有了一定的应变。退火完成以后，将SiGe 层移除，经过测试，在形成的SSOI层中的应变度为7％。在没有优化实验条件下， 获得了应变度略小于国际上其它小组采用Smart Cut方法制备得到SSOI之应变度 (12％)。这种方法为制各SSOI材料开拓了一个新的思路。 关键词：SiGe、SOI，Strained Silicon 中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位论文 SiOe／SOl弛豫的研究厦SSOI材料的制备Research SiOe／SOl弛豫的研究厦SSOI材料的制备 Research on Relaxation of SiGelS0l and Fabrication of SSOl Materials Bo Jin：(Microelectronics and Solid-State Electronics) Directed by：Professor Xi Wang Abstract Strained