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DOI :10.14188/j.1671 -88 6.2010.01.009
56 1 () Vol.56 No.1
2010 2 J.Wuhan Univ.(Nat.Sci.Ed.) Feb.2010, 021～ 025
:1671-88 6(2010)01-0021-05
热蒸发法制备纳米结构ZnO 及其生长机理
李育洁, 张海明, 胡国锋, 李晓洁, 高 波, 朱彦君
(天津工业大学 理学院, 天津 00160)
:700 ℃、、ZnO,
ZnO .(S EM)ZnO , 20 mm , ZnO
, 50 nm.X (XRD), Raman ZnO
., ZnO .
:ZnO;;;
:O 611 :A
.
0
①
, Si (Si )Zn mm
, ZnO ②
, Si (Si ), Zn 20 mm .
.ZnO
, Zn
, 、、、
[ 1～ 6] .1 . 0 ℃/
.,
min 700 ℃, 0.5 h,
ZnO,
[ 7] [8] [9] .
, , ,
(CVD)[ 10, 11] ., CVD 、 , , 1
.
,
[ 12]
.,
CVD , (950 ℃),
[ 1 ]
.
, ,
(700 ℃), ,
Zn , ZnO
.
1
1
ZnO LEO
ZnO , 15 0VP ,
, . Bruker-AXS D8 Advance X
0.2 g (99.5%), 0. g (90%), , 40 kV, 150 mA,
.N (100)Si 20°～ 60°. Raman
, 、、20 min, Renishaw Rm2000
:2009-06-11 E-mail:zhm tjw l@16 .com
: (09JCYBJC04400)
:, , , . E-mail:liyujie 111@126.com
22 () 56
2
, 514 nm , 1 μm .20 μ
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